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提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法

摘要

本发明提供了一种提高存储器可靠性的方法以及闪存操作方法。根据本发明的提高存储器可靠性的方法包括:记录坏扇区地址,并且为坏扇区分配用于替换的冗余扇区;利用校验和纠错码对存储器的扇区进行读取或编程;判断当前打算读取或编程的扇区的扇区地址是否是被记录的坏扇区地址;如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对用于替换与被记录的坏扇区地址所对应的坏扇区的冗余扇区进行读取或编程。如果打算当前读取或编程的扇区的扇区地址是被记录的坏扇区地址,则对当前读取或编程的扇区进行读取或编程。

著录项

  • 公开/公告号CN102708927A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210143456.4

  • 发明设计人 肖军;黄碧;孔蔚然;

    申请日2012-05-09

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

  • 入库时间 2023-12-18 06:47:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C29/42 申请公布日:20121003 申请日:20120509

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-11-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20120509

    实质审查的生效

  • 2014-05-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G11C29/42 变更前: 变更后: 登记生效日:20140504 申请日:20120509

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-10-03

    公开

    公开

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