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一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法

摘要

本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法,包括如下步骤:1)将石墨烯放置在Si片上,然后放入离子注入机中,用离子束轰击所述Si片上的石墨烯,使其产生缺陷;2)将步骤1)中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。该方法首先用离子注入技术轰击石墨烯表面,使其表面产生缺陷(空位),然后选择在合适的气体气氛中退火,完成N型或者P型掺杂,从而打开带隙。实现了石墨烯的掺杂并改善了其开关特性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B31/22 申请公布日:20121003 申请日:20120531

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B31/22 申请日:20120531

    实质审查的生效

  • 2012-10-03

    公开

    公开

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