用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法

摘要

描述了一种用于形成用于制造太阳能电池的薄半导体层衬底的方法，在该方法中，在所提供的半导体衬底(1)中，可以通过电化学蚀刻交替地形成大孔隙度低的大孔层(33，37)和蚀刻去除层(35，39)。蚀刻去除层(35，39)分离相邻的大孔层(33，37)，从而这些层优选地是自支撑的。在该配置中，该半导体衬底(1)的至少部分地包围大孔层(33，37)的边缘区域(3)保持未被蚀刻，因此用于机械地稳固连接到它的被包围的大孔性较轻的层(33，37)。按照该方式产生的多层堆叠接下来可以在联合流体处理步骤中作为整体经历进一步的处理步骤，例如，可以被涂覆钝化氧化物。接下来，大孔层可以连续地从半导体衬底的起稳固作用的边缘区域(3)分离，其中在大孔层(33)和非多孔边缘区域(3)之间的机械连接被中断。在撕掉各个最上面的层之前，可以应用具有单侧效应的处理。按照该方式，可以利用仅几个处理步骤来产生以包括良好的表面钝化和减小反射的表面纹理的大孔层(33，37)的形式的多个薄半导体层衬底。