数据管理方法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置

摘要

本发明是提出一种数据管理方法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置，此嵌入式存储器储存装置具有多个物理区块且每一物理区块具有多个快速物理页面与多个慢速物理页面。本方法包括检测状态标示单元的状态。本方法还包括当状态标示单元的状态被标记为第一状态时，自动地读取所储存的数据，使用嵌入式存储器储存装置快速物理页面与慢速物理页面来重新储存此数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。基此，可有效地使用嵌入式存储器储存装置的储存空间。

说明书

技术领域

本发明是有关于一种数据管理方法，且特别是有关于一种用于嵌入式存 储器储存装置的数据管理方法及使用此方法的存储器控制器与嵌入式存储器 储存装置。

背景技术

数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存 媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读 写速度快等特性，最适于此些电子产品。广泛用于手机的嵌入式多媒体卡 (embeded Multi Media Card，eMMC)就是一种以闪存作为储存媒体的储存装 置。因此，近年闪存产业成为电子产业中相当热门的一环。

一般来说，用于电子产品的嵌入式多媒体卡(embeded Multi Media Card， eMMC)是用于烧录电子产品的映象文件(image file)，例如，操作系统。特别 是，为了便于大量生产，映象文件会预先烧录到嵌入式多媒体卡制造中，之 后预存有映象文件的嵌入式多媒体卡才会焊接至电子产品的电路基板上。

在闪存模块中，数据是根据存储单元内所储存的电荷来识别。然而，在 某些对存储器较特殊的环境下，例如焊接时，其高温会对存储单元内所储存 的电荷造成影响(例如，漏电)。因此，预存于嵌入式多媒体卡的数据可能会 因此而发生错误。

发明内容

本发明提供一种数据管理方法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置， 其能够重新储存数据，以有效地使用嵌入式存储器储存装置的储存空间。

本发明提供一种数据管理方法，其能够避免因焊接而遗失预存于嵌入式 存储器储存装置的数据。

本发明提供一种存储器控制器与嵌入式存储器储存装置，其所执行的写 入机制能够防止预存于嵌入式存储器储存装置的数据遗失。

本发明提供一种用于嵌入式存储器储存装置的数据管理方法，其中此嵌 入式存储器储存装置具有多个物理区块并且每一物理区块具有多个快速物理 页面与多个慢速物理页面。本数据管理方法包括检测一状态标示单元的一状 态，其中当仅快速物理页面被用来储存一数据时，此状态标示单元的状态被 标记为第一状态，并且当此些快速物理页面与慢速物理页面皆被用来储存数 据时，状态标示单元的状态被标记为第二状态。本数据管理方法还包括当状 态标示单元的状态被标记为第一状态时，自动地读取所储存的数据，使用此 些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存此数据并且将状态标示单元的状 态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法，还包括：从主机系统接 收至少一标准指令；判断此标准指令是否属于一特殊态样；以及仅当此标准 指令属于特殊态样时，才检测上述状态标示单元的状态。

在本发明的一实施例中，上述的同时使用至少部分快速物理页面与慢速 物理页面来重新储存上述数据的步骤包括：通过执行来自于主机系统的多个 写入指令来同时使用至少部分快速物理页面与慢速物理页面来重新储存上述 数据。

本发明范例实施例提出一种存储器控制器，用于配置在嵌入式存储器储 存装置中以管理此嵌入式存储器储存装置的可复写式非易失性存储器模块， 其中此可复写式非易失性存储器模块具有多个物理区块并且每一物理区块具 有多个快速物理页面与多个慢速物理页面。本存储器控制器包括主机接口、 存储器接口与存储器管理电路。主机接口用以耦接至一主机系统。存储器接 口用以耦接至此可复写式非易失性存储器模块。存储器管理电路耦接至此主 机接口与存储器接口。在此，此存储器管理电路用以检测状态标示单元的状 态，其中当仅此些快速物理页面被用来储存一数据时，此状态标示单元的该 状态被标记为一第一状态。此外，其中当状态标示单元的状态被标记为第一 状态时，存储器管理电路自动地读取所储存的数据，使用此些快速物理页面 与慢速物理页面来重新储存此数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状 态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路从主机系统接收至少一 标准指令并且判断此标准指令是否属于一特殊态样。并且，仅当此标准指令 属于此特殊态样时，上述的存储器管理电路才检测上述状态标示单元的状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路通过执行来自于主机系 统的多个写入指令来同时使用至少部分快速物理页面与慢速物理页面来重新 储存上述数据。

本发明范例实施例提出一种嵌入式存储器储存装置，其包括连接器、可 复写式非易失性存储器模块与存储器控制器。连接器用以耦接至主机系统。 可复写式非易失性存储器模块具有多个物理区块并且每一物理区块具有多个 快速物理页面与慢速物理页面。存储器控制器耦接至此连接器与可复写式非 易失性存储器模块。在此，存储器控制器用以检测状态标示单元的状态，其 中当仅此些快速物理页面被用来储存一数据时，此状态标示单元的该状态被 标记为一第一状态。此外，其中当状态标示单元的状态被标记为第一状态时， 存储器控制器自动地读取所储存的数据，使用此些快速物理页面与慢速物理 页面来重新储存此数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器从主机系统接收至少一标 准指令并且判断此标准指令是否属于一特殊态样。并且，仅当此标准指令属 于此特殊态样时，上述的存储器控制器才检测上述状态标示单元的状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器通过执行来自于主机系统 的多个写入指令来同时使用至少部分快速物理页面与慢速物理页面来重新储 存上述数据。

本发明范例实施例提出一种数据管理方法，其用于防止在一嵌入式存储 器储存装置中的一预定数据遗失，其中此嵌入式存储器储存装置具有多个物 理区块并且每一物理区块具有多个快速物理页面与多个慢速物理页面。本防 止数据遗失方法包括：烧录步骤与重新储存步骤。烧录步骤用以仅使用嵌入 式存储器储存装置的快速物理页面来储存此预定数据并且将状态标示单元的 状态标记为第一状态，其中此状态标示单元是储存在嵌入式存储器储存装置 中。重新储存步骤用以使用嵌入式存储器储存装置的快速物理页面与慢速物 理页面来重新储存此预定数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：将状态标示单元 的状态初始地标记为初始状态；判断是否从主机系统接收到预定制造商指令； 判断此状态标示单元的状态是否为初始状态；以及仅当接收到预定制造商指 令并且此状态标示单元的状态为初始状态时，才执行上述烧录步骤。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：判断是否从主机 系统接收到预定制造商指令；判断状态标示单元的状态是否为第一状态；以 及仅当接收到预定制造商指令并且状态标示单元的状态为第一状态时，才执 行上述重新储存步骤。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：将状态标示单元 的状态初始地标记为初始状态；从主机系统接收至少一标准指令；判断所接 收的标准指令是否属于特殊态样；判断状态标示单元的状态是否为初始状态； 以及仅当所接收的标准指令属于特殊态样并且状态标示单元的状态为初始状 态时，才执行上述烧录步骤。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：从主机系统接收 至少一标准指令；判断所接收的标准指令是否属于特殊态样；判断状态标示 单元的状态是否为第一状态；以及仅当所接收的标准指令属于特殊态样并且 状态标示单元的状态为第一状态时，才执行上述重新储存步骤。

在本发明的一实施例中，该重新储存步骤是通过执行来自于一主机系统 的多个写入指令时执行，以将预定数据分批地重新储存至嵌入式存储器储存 装置的快速物理页面与慢速物理页面中。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：在上述烧录步骤 与上述重新储存步骤之间，将嵌入式存储器储存装置以一焊接方式黏着至一 电路基板上。

在本发明的一实施例中，上述的数据管理方法还包括：将此些物理区块 至少分组为一储存区与一系统区，其中此状态标示单元被储存于此系统区的 物理区块中。

本发明范例实施例提出一种存储器控制器，用于配置在嵌入式存储器储 存装置中以管理此嵌入式存储器储存装置的可复写式非易失性存储器模块， 其中此可复写式非易失性存储器模块具有多个物理区块并且每一物理区块具 有多个快速物理页面与多个慢速物理页面。本存储器控制器包括主机接口、 存储器接口与存储器管理电路。主机接口用以耦接至一主机系统。存储器接 口用以耦接至此可复写式非易失性存储器模块。存储器管理电路耦接至此主 机接口与存储器接口。在此，此存储器管理电路用以仅使用此些快速物理页 面来储存一预定数据并且将状态标示单元的状态标记为一第一状态。此外， 存储器管理电路还用以使用此些快速物理页面与此些慢速物理页面来重新储 存此预定数据并且将状态标示单元的该状态标记为第二状态。再者，存储器 管理电路将此状态标示单元是储存在可复写式非易失性存储器模块中。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路将状态标示单元的状态 初始地标记为初始状态。并且，仅当存储器管理电路从主机系统中接收到一 预定制造商指令并且，上述状态标示单元的状态为初始状态时，存储器管理 电路才仅使用此些快速物理页面来写入预定数据并且将状态标示单元的状态 标记为该第一状态。

在本发明的一实施例中，仅当存储器管理电路从主机系统接收到一预定 制造商指令并且上述状态标示单元的状态为第一状态时，上述的存储器管理 电路才使用此些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存该预定数据并且将 此状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路将状态标示单元的状态 初始地标记为初始状态。并且，仅当存储器管理电路从主机系统接收属于特 殊态样的至少一标准指令并且此状态标示单元的状态为初始状态时，存储器 管理电路才仅使用此些快速物理页面来写入上述预定数据并且将状态标示单 元的状态标记为第一状态。

在本发明的一实施例中，仅当存储器管理电路从主机系统接收属于特殊 态样的至少一标准指令并且此状态标示单元的状态为第一状态时，上述的存 储器管理电路才使用此些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存上述预定 数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路于执行来自于主机系统 的多个写入指令期间将预定数据分批地重新储存至此些快速物理页面与慢速 物理页面中。

在本发明的一实施例中，上述的存储器管理电路将此些物理区块至少分 组为一储存区与一系统区，并且将上述状态标示单元储存于系统区的物理区 块中。

本发明范例实施例提出一种嵌入式存储器储存装置，其包括连接器、可 复写式非易失性存储器模块与存储器控制器。连接器用以耦接至主机系统。 可复写式非易失性存储器模块具有多个物理区块并且每一物理区块具有多个 快速物理页面与慢速物理页面。存储器控制器耦接至此连接器与可复写式非 易失性存储器模块。在此，存储器控制器用以仅使用此些快速物理页面来储 存一预定数据并且将状态标示单元的状态标记为第一状态，其中存储器控制 器将状态标示单元是储存在可复写式非易失性存储器模块中。此外，存储器 控制器还用以使用此些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存此预定数据 并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器将状态标示单元的状态初 始地标记为一初始状态。并且，其中仅当控制器从主机系统中接收到一预定 制造商指令并且此状态标示单元的状态为初始状态时，存储器控制器才仅使 用此些快速物理页面来写入上述预定数据并且将状态标示单元的状态标记为 第一状态。

在本发明的一实施例中，仅当存储器控制器从主机系统接收到一预定制 造商指令并且此状态标示单元的状态为第一状态时，上述的存储器控制器才 使用此些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存上述预定数据并且将状态 标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器将状态标示单元的状态初 始地标记为初始状态。并且，仅当存储器控制器从主机系统接收属于特殊态 样的至少一标准指令并且此状态标示单元的状态为初始状态时，上述的存储 器控制器才仅使用此些快速物理页面来写入预定数据并且将此状态标示单元 的状态标记为第一状态。

在本发明的一实施例中，仅当存储器控制器从主机系统接收属于特殊态 样的至少一标准指令并且此状态标示单元的状态为第一状态时，上述的存储 器控制器才使用此些快速物理页面与慢速物理页面来重新储存上述预定数据 并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器于执行来自于主机系统的 多个写入指令期间将上述预定数据分批地重新储存至此些快速物理页面与慢 速物理页面中。

在本发明的一实施例中，上述的存储器控制器将此些物理区块至少分组 为一储存区与一系统区，并且将上述状态标示单元储存于系统区的物理区块 中。

基于上述，本发明范例实施例的方法、存储器控制器与嵌入式存储器储 存装置能够有效地防止预存在可复写式非易失性存储器模块中的数据因焊接 而遗失。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合 所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是根据本发明第一范例实施例所绘示的电子装置与嵌入式存储器储 存装置。

图2是绘示图1所示的嵌入式存储器储存装置的概要方块图。

图3是根据本发明第一范例实施例所绘示的物理区块的示意图。

图4是根据本发明第一范例实施例所绘示的存储器控制器的概要方块 图。

图5是根据本发明第一范例实施例所绘示的以快速物理页面储存数据的 范例示意图。

图6是根据本发明第一范例实施例所绘示的以快速物理页面与慢速物理 页面储存数据的范例示意图。

图7是根据本发明第一范例实施例所绘示的数据管理方法的流程图。

图8是根据本发明第二范例实施例所绘示的数据管理方法的流程图。

图9是根据本发明第三范例实施例所绘示的执行烧录步骤的流程图。

图10是根据本发明第三范例实施例所绘示的于执行写入指令时将预定 数据重新储存的流程图。

[主要元件标号说明]

1000：电子装置

100：嵌入式存储器储存装置

102：连接器

104：存储器控制器

106：可复写式非易失性存储器模块

202：存储器管理电路

204：主机接口

206：存储器接口

208：错误校正电路

210：缓冲存储器

212：电源管理电路

310：快速物理页面

320：慢速物理页面

502、504：物理区块

S701、S703、S705：数据管理的步骤

S801、S803、S805、S809：数据管理的步骤

S901、S903、S905：烧录步骤

S1001、S1003、S1005、S1007、S1009、S1011：于执行写入指令时将预 定数据重新储存的步骤

具体实施方式

本发明提出一种数据管理方法，其能够根据嵌入式存储器储存装置的储 存状态来重新整理数据，藉此有效地使用嵌入式存储器储存装置的储存空间。 此外，本发明的数据管理方法通过使用刻录机制将预定数据储存于较稳定的 快速物理页面中并且之后再使用还原机制将预定数据重新储存于快速物理页 面与慢速物理页面中，由此可避免储存于嵌入式存储器储存装置中的数据， 因较特殊的环境，如焊接所产生的高温，而产生错误位。以下将以数个范例 实施例并配合图式来详细说明本发明。

[第一范例实施例]

图1是根据本发明第一范例实施例所绘示的电子装置与嵌入式存储器储 存装置。

请参照图1，电子装置1000包括微处理器与随机存取存储器(未绘示)。 在本发明实施例中，嵌入式存储器储存装置100是嵌入在电子装置1000的电 路基板上。通过微处理器与随机存取存储器的运作可从嵌入式存储器储存装 置100中读取数据或将数据写入至嵌入式存储器储存装置100中。例如，电 子装置1000为智能型手机并且嵌入式存储器储存装置100是用以储存此智能 型手机的操作系统。

在本范例实施例中，嵌入式存储器储存装置100可为嵌入式多媒体卡 (Embedded Multi Media Card，eMMC)。然而，必须了解的是，本发明不限于 此，在本发明另一范例实施例中，嵌入式存储器储存装置100亦可为嵌入式 安全数字卡(Embeded Secure Digital，eSD)或其它嵌入式非易失性存储器储 存装置。

图2是绘示图1所示的嵌入式存储器储存装置的概要方块图。

请参照图2，嵌入式存储器储存装置100包括连接器102、存储器控制器 104与可复写式非易失性存储器模块106。在一范例实施例中，此连接器102、 存储器控制器104与可复写式非易失性存储器模块106可皆封装于一颗芯片 中。

在本范例实施例中，连接器102是兼容于MMC标准。然而，必须了解的 是，本发明不限于此，连接器102亦可以是符合SD标准或其它嵌入式接口标 准。

存储器控制器104用以执行以硬件形式或固件形式实作的多个逻辑门或 控制指令，并且根据电子装置1000的指令在可复写式非易失性存储器模块 106中进行数据的写入、读取与抹除等运作。

可复写式非易失性存储器模块106是耦接至存储器控制器104，并且用 以储存电子装置1000所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块106具有 多个物理区块。每一物理区块分别具有多个物理页面，其中属于同一个物理 区块的物理页面可被独立地写入且被同时地抹除。更详细来说，物理区块为 抹除的最小单位。亦即，每一物理区块含有最小数目的一并被抹除的存储单 元。物理页面为编程的最小单元。即，物理页面为写入数据的最小单元。然 而，必须了解的是，在本发明另一范例实施例中，写入数据的最小单位亦可 以是物理扇区或其它大小。例如，每一物理区块是由128个物理页面所组成。 然而，必须了解的是，本发明不限于此，每一物理区块是可由256个物理页 面或其它任意个物理页面所组成。每一物理页面包括使用者数据(user data) 位区与冗余(redundancy)位区。使用者数据位区用以储存使用者的数据，而 冗余位区用以储存系统的数据(例如，错误校正码)。

在本范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块106为多阶存储单元 (Multi Level Cell，MLC)NAND型闪存模块。具体来说，NAND型闪存模块可 根据每一存储单元可储存的数据位数而区分为MLC NAND型闪存模块及单阶层 存储单元(Single-Level Cell，SLC)NAND型闪存模块。SLC NAND型闪存模块 的每个存储单元仅能储存1个位数据，而MLC NAND型闪存模块的每个存储单 元可储存至少2个以上的位数据。例如，以4阶存储单元NAND型闪存模块为 例，每一存储单元可储存2个位数据(即，″11″、″10″、″00″与″01″)。基此， 对4阶存储单元闪存模块的写入可区分为2个阶段。第一阶段是下页面(lower page)的写入，并且第二阶段为上页面(upper page)的写入，其中下页面的写 入速度会快于上页面。因此，MLC NAND型闪存模块的物理页面可被区分为慢 速物理页面(即，上页面)与快速物理页面(即，下页面)。特别是，相较于上 页面来说，下页面的储存可靠度较高。类似地，在8阶存储单元NAND型闪存 模块或16阶存储单元NAND型闪存模块的案例中，存储单元可储存更多位数 据并且会以更多阶段来写入。在此，将写入速度最快的物理页面称为下页面， 其它写入速度较慢的页面统称为上页面。例如，上页面包括具有不同写入速 度的多个页面。此外，在其它实施例中，上页面也可为写入速度最慢的页面， 或者写入速度最慢与部分写入速度快于写入速度最慢页面的页面。例如，在 8阶存储单元NAND型闪存模块中，下页面为写入速度最快与写入速度次快的 页面，上页面则为写入速度最慢与写入速度次慢的页面。

图3是根据本发明第一范例实施例所绘示的物理区块的示意图。

请参照图3，4阶存储单元闪存模块的物理区块内的物理页面可根据其写 入特性区分为多个快速物理页面310与多个慢速物理页面320，其中写入数 据至快速物理页面310的速度快于写入数据至慢速物理页面320的速度并且 数据储存于快速物理页面310的可靠度高于慢速物理页面320的可靠度。此 外，数据必须根据物理页面的编号依序地被写入。

图4是根据本发明第一范例实施例所绘示的存储器控制器的概要方块 图。

请参照图4，存储器控制器104包括存储器管理电路202、主机接口204 与存储器接口206。

存储器管理电路202用以控制存储器控制器104的整体运作。例如，存 储器管理电路202可是由多个控制模块(例如，写入模块、读取模块、抹除模 块等)所组成，并且在存储器储存装置100运作时，存储器管理电路202此些 模块会根据电子装置1000的指令对可复写式非易失性存储器模块106进行数 据的写入、读取与抹除等运作。

在本范例实施例中，存储器管理电路202的控制模块是以程序来实作。 例如，存储器管理电路202具有微处理器单元(未绘示)与只读存储器(未绘 示)，并且此些控制指令是被烧录至此只读存储器中。在此，此些微程序亦称 为固件。当存储器储存装置100运作时，此些微程序会由微处理器单元来执 行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。

在本发明另一范例实施例中，上述微程序亦可储存于可复写式非易失性 存储器模块106的特定区域(例如，存储器模块中专用于存放系统数据的系统 区)中。此外，存储器管理电路202具有微处理器单元(未绘示)、只读存储器 (未绘示)及随机存取存储器(未绘示)。特别是，此只读存储器具有驱动码， 并且当存储器控制器104被致能时，微处理器单元会先执行此驱动码段来将 储存于可复写式非易失性存储器模块106中的微程序加载至存储器管理电路 202的随机存取存储器中。之后，微处理器单元会运转此微程序以进行数据 的写入、读取与抹除等运作。此外，在本发明另一范例实施例中，存储器管 理电路202的控制模块亦可以一硬件形式来实作。

主机接口逻辑接口204是耦接至存储器管理电路202并且用以接收与识 别电子装置1000所传送的指令与数据。也就是说，电子装置1000所传送的 指令与数据会通过主机接口逻辑接口204来传送至存储器管理电路202。在 本范例实施例中，主机接口逻辑接口204是兼容于eMMC标准。然而，必须了 解的是本发明不限于此，主机接口逻辑接口204亦可以是兼容于eSD标准或 其它适合的数据传输标准。

存储器接口206是耦接至存储器管理电路202并且用以存取可复写式非 易失性存储器模块106。也就是说，欲写入至可复写式非易失性存储器模块 106的数据会经由存储器接口206转换为可复写式非易失性存储器模块106 所能接受的格式。

错误校正电路208是耦接至存储器管理电路202并且用以执行错误检查 与校正程序以确保数据的正确性。具体来说，在执行写入指令时，错误校正 电路208会为欲写入的数据产生对应的错误校正码，并且存储器管理电路202 会将此数据与对应的错误校正码写入至可复写式非易失性存储器模块106 中。之后，当存储器管理电路202从可复写式非易失性存储器模块106中读 取数据时会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且错误校正电路208 会依据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序。

在本发明一范例实施例中，存储器控制器104还包括缓冲存储器210。 缓冲存储器210是耦接至存储器管理电路202并且用以暂存来自于电子装置 1000的数据与指令或来自于可复写式非易失性存储器模块106的数据。

在本发明一范例实施例中，存储器控制器104还包括电源管理电路212。 电源管理电路212是耦接至存储器管理电路202并且用以控制嵌入式存储器 储存装置100的电源。

在本范例实施例中，存储器管理电路202可在可复写式非易失性存储器 模块106中储存状态标示单元(例如，一旗标暂存器)并且将此状态标示单元 的状态初始地标记为初始状态。例如，在本发明范例实施例中，存储器管理 电路202会将物理区块分组为储存区与系统区并且将状态标示单元储存在系 统区的物理区块中。储存区的物理区块用以储存使用者数据(例如，电子装置 所存取的数据)并且系统区的物理区块用以储存嵌入式存储器储存装置100 的系统数据(例如，物理区块的数目、物理页面的数目等)。

特别是，当仅使用物理区块的快速物理页面来储存数据时，存储器管理 电路202会将此状态标示单元的状态标记为第一状态。

图5是根据本发明第一范例实施例所绘示的仅以快速物理页面来储存数 据的示意图，为了方便说明在此假设所储存的数据大小是等于一个物理区块 的大小并且可复写式非易失性存储器模块106是由物理区块502与物理区块 504所组成。

请参照图5，原本应被储存在物理区块502的慢速物理页面中的数据会 被储存在物理区块504的快速物理页面中。由于此笔数据是被储存于快速物 理页面中(如虚线所示)，因此，数据会不易发生错误位而遗失。

此外，当正常地使用物理区块的快速物理页面与慢速物理页面来储存数 据时，存储器管理电路202会将此状态标示单元的状态标记为第二状态。

图6是根据本发明第一范例实施例所绘示的以快速物理页面与慢速物理 页面来储存数据的示意图。

请参照图6，存储器管理电路202是正常地使用可复写式非易失性存储 器模块106的快速物理页面与慢速物理页面来储存数据(如虚线所示)。由于 快速物理页面与慢速物理页面皆会被使用来储存数据，因此，嵌入式存储器 储存装置100的储存空间会被充分的使用。在此，正常地使用可复写式非易 失性存储器模块106的快速物理页面与慢速物理页面来储存数据亦称为正常 储存机制。

在本范例实施例中，当从电子装置1000或其它外部主机接收到预定制造 商指令(vender command)时，存储器管理电路202会检测状态标示单元的状 态。倘若状态标示单元的状态被标记为第一状态时，存储器管理电路202会 自动地读取原先储存于嵌入式存储器储存装置100中的数据，使用嵌入式存 储器储存装置100的快速物理页面与慢速物理页面来重新储存数据并且将状 态标示单元的状态标记为第二状态。也就是说，当接收到预定制造商指令时， 存储器管理电路202自动地根据嵌入式存储器储存装置100的状态，来将数 据重新储存以更有效率地使用储存空间。

值得一提的是，在此，预定制造商指令是预先设计用以启动重新储存机 制的指令。然而，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中，存储器管 理电路202亦可根据标准指令中的信息来启动重新储存机制。例如，当主机 系统连续下达数个写入指令时，存储器管理电路202会启动重新储存机制。 或者，当写入指令中包含特定参数时，存储器管理电路202会启动重新储存 机制。又或者，当主机系统使用保留给使用者自行定义的标准指令时，存储 器管理电路202会启动重新储存机制。

图7是根据本发明第一范例实施例所绘示的数据管理方法的流程图。

请参照图7，在步骤S701，存储器管理电路202会判断是否接收到预定 制造商指令。倘若接收到预定制造商指令时，在步骤S703中，存储器管理电 路202会判断状态标示单元的状态是否被标记为第一状态。

倘若状态标示单元的状态非被标记为第一状态时，图7的流程会被结束。 倘若状态标示单元的状态被标记为第一状态时，在步骤S705中，存储器管理 电路202会使用可复写式非易失性存储器模块106的快速物理页面与慢速物 理页面来重新储存原先已储存在可复写式非易失性存储器模块的快速物理页 面的数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。

[第二范例实施例]

第二范例实施例的嵌入式存储器储存装置的结构本质上是相同于第一范 例实施例的嵌入式存储器储存装置，以下将配合图2与图3的硬件元件来说 明第二范例实施例与第一范例实施例的差异之处。

在第二范例实施例中，嵌入式存储器储存装置100是以焊接方式黏着至 电子装置1000的电路基板上，以与电子装置1000的微处理器耦接。并且， 在焊接之前，预定数据(例如，用于电子装置1000的操作系统映象文件)会通 过一刻录机制被储存至可复写式非易失性存储器模块106中。

在此刻录机制中，嵌入式存储器储存装置100的存储器控制器104仅使 用可复写式非易失性存储器模块106的快速物理页面来储存预定数据。具体 来说，当从主机系统(未绘示)接收到预定制造商指令时，存储器管理电路202 会识别状态标示单元的状态。倘若状态标示单元的状态被标记为初始状态时， 存储器管理电路202会仅使用可复写式非易失性存储器模块106的快速物理 页面来储存主机系统欲写入的预定数据(如图5所示)并且将状态标示单元的 状态标记为第一状态。籍此，由于此笔数据是被储存于快速物理页面中，其 在通过工作机台的焊接时，其数据会较稳定而不被破坏。

此外，在本范例实施例中，当此嵌入式存储器储存装置100处于一常温 或较稳定的工作环境之后(例如，在通过了一焊接机台之后)，预定数据会被 如第一范例实施例所述的重新储存机制来重新储存至可复写式非易失性存储 器模块106中。即，存储器管理电路202会使用可复写式非易失性存储器模 块106的快速物理页面与慢速物理页面来重新储存原先已储存于可复写式非 易失性存储器模块106的快速物理页面的预定数据(如图6所示)并且将状态 标示单元的状态标记为第二状态。

如上所述，快速页面的可靠度高于慢速页面，因此，在焊接之前仅以快 速页面来储存数据，可有效减少在将嵌入式存储器储存装置100焊接至电子 装置1000的电路基板的过程中，储存于嵌入式存储器储存装置100的数据因 高温而发生错误位的机会。接着，在焊接之后，使用快速页面与慢速页面来 重新储存原先所储存的数据可使嵌入式存储器储存装置100的储存空间被更 有效地运用。

值得一提的是，在此，预定制造商指令是预先设计用以启动刻录机制及 重新储存机制的指令。然而，本发明不限于此，在本发明另一范例实施例中， 存储器管理电路202亦可根据标准指令中的信息来启动刻录机制及重新储存 机制。例如，当主机系统连续下达数个写入指令时，存储器管理电路202会 认为其属于一预设的特殊态样因此而启动刻录机制及重新储存机制。或者， 当写入指令中包含特定参数时，存储器管理电路202会启动刻录机制及重新 储存机制。又或者，当主机系统使用保留给使用者自行定义的标准指令时， 存储器管理电路202会启动刻录机制及重新储存机制。

图8是根据本发明第一范例实施例所绘示的数据管理方法的流程图。

请参照图8，在步骤S801中，会判断是否接收到预定制造商指令。

倘若未接收到预定制造商指令时，则结束图8的流程。

倘若接收到预定制造商指令时，在步骤S803中，会判断状态标示单元的 状态是否为初始状态。

倘若状态标示单元的状态为初始状态时，在步骤S805中，仅使用嵌入式 存储器储存装置的快速物理页面来储存预定数据并且将状态标示单元的状态 标记为第一状态。在此，步骤S805亦称为烧录步骤。

倘若状态标示单元的状态非为初始状态时，在步骤S807中，会判断状态 标示单元的状态是否为第一状态。

倘若状态标示单元的状态为第一状态时，在步骤S809中，使用嵌入式存 储器储存装置的快速物理页面与慢速物理页面来重新储存原先储存在嵌入式 存储器储存装置中的预定数据并且将状态标示单元的状态标记为第二状态。 在此，步骤S809亦称为重新储存步骤。

倘若状态标示单元的状态非为第一状态时，则结束图8的流程。也就是 说，倘若状态标示单元的状态非为初始状态或第一状态并且接收到预定制造 商指令，则所接收到的预定制造商指令会被忽略。

如上所述，刻录机制或重新储存机制亦可根据标准指令中的信息来启动。 因此，在本发明另一范例实施例中，图8的步骤S801亦可以判断是否接收到 属于特殊态样的标准指令来取代。

[第三范例实施例]

根据第二范例实施例的数据管理方法是在焊接之后执行重新储存步骤来 将整个预定数据重新储存于嵌入式存储器储存装置的物理区块中。而第三范 例实施例的数据管理方法是在后续执行写入指令时将储存于多个快速物理页 面中的预定数据分批地重新储存，而不会在焊接之后立即将所有预定数据重 新储存于嵌入式存储器储存装置的物理区块中。第三范例实施例的嵌入式存 储器储存装置的结构本质上是相同于第一范例实施例的嵌入式存储器储存装 置，以下将配合图2与图3的硬件元件来说明第二范例实施例与第一范例实 施例的差异之处。

同样地，在第三范例实施例中，当存储器控制器104接收到预定制造商 指令并且状态标示单元的状态为初始状态，存储器管理电路202会仅使用可 复写式非易失性存储器模块106的快速物理页面来储存预定数据(例如，如图 5所示)并且将状态标示单元的状态标记为第一状态。

之后，当存储器控制器104从电子装置1000中接收到写入指令时或开机 信号时，存储器管理电路202会判断欲写入的物理页面中是否储存以刻录机 制所写入的预定数据，其中，判断的方式可例如是通过一预定数据还原表。 倘若欲写入的物理页面中已储存以刻录机制所写入的预定数据时，存储器管 理电路202会通过在执行写入指令的同时一并整理此预定数据。也就是说， 存储器管理电路202会在执行写入指令时使用快速物理页面与慢速物理页面 来重新储存预定数据。也就是说，存储器管理电路202是在后续需写入数据 时才分批地将以刻录机制所写入的预定数据重新储存至物理区块中。

特别是，在第三范例实施例中，存储器管理电路202会建立一预定数据 还原表来记录用以储存以刻录机制写入的预定数据的物理页面。并且，当储 存于某一物理页面的预定数据已被使用正常储存机制来重新储存时，存储器 管理电路202会于此预定数据还原表中记录此信息。也就是说，存储器管理 电路202会在执行写入指令时根据预定数据还原表来重新储存未以正常储存 机制储存的预定数据。

图9是根据本发明第三范例实施例所绘示的执行烧录步骤的流程图。

请参照图9，在步骤S901中，会判断是否接收到预定制造商指令。

倘若未接收到预定制造商指令时，则结束图9的流程。

倘若接收到预定制造商指令时，在步骤S903中，会判断状态标示单元的 状态是否为初始状态。

倘若状态标示单元的状态为初始状态时，在步骤S905中，仅使用嵌入式 存储器储存装置的快速物理页面来储存预定数据并且将状态标示单元的状态 标记为第一状态。在此，步骤S905亦称为烧录步骤。

图10是根据本发明第三范例实施例所绘示的于执行写入指令时将预定 数据重新储存的流程图。

请参照图10，在接收到写入指令后，在步骤S1001中，会判断状态标示 单元的状态是否为第一状态。

倘若状态标示单元的状态为第一状态时，在步骤S1003中，存储器管理 电路202会根据预定数据还原表判断对应此写入指令的物理页面是否储存以 刻录机制写入的预定数据(即，尚未以还原正常储存机制重新储存的预定数 据)。

倘若对应此写入指令的物理页面储存以刻录机制写入的预定数据，在步 骤S1005中，执行此写入指令并且同时使用正常储存机制来重新储存此预定 数据。

倘若对应此写入指令的物理页面未储存以刻录机制写入的预定数据，在 步骤S1007中，执行此写入指令。

之后，在步骤S1009中，会根据预定数据还原表来判断所有以刻录机制 所储存的预定数据是否皆已使用正常储存机制来重新储存。

倘若所有以刻录机制所储存的预定数据皆已使用正常储存机制来重新储 存，在步骤S1011中，将状态标示单元的状态标记为第二状态。之后，结束 图10的流程。

值得一提的是，在本发明另一范例实施例中，存储器管理电路202亦可 在执行物理区块的平均抹损(wear-leveling)程序而需搬移数据时一并重新 储存以刻录机制所写入的预定数据。因此，在本发明另一范例实施例中，图 10的步骤S1001与步骤S1003亦可以判断是否执行平均抹损程序以及判断欲 搬移的数据是否为以刻录机制写入的预定数据来取代。在此，平均抹损程序 为本领域技术人员所熟知的技术，在此不详细描述。

综合上述，本发明范例实施例的数据管理方法是通过重新储存机制来将 仅使用快速物理页面储存的数据使用快速物理页面与慢速物理页面来重新储 存，基此，可有效地使用嵌入式存储器储存装置的储存空间。此外，在本发 明范例实施例中，刻录机制仅使用嵌入式存储器储存装置中较为稳定的快速 物理页面来储存预定数据。之后，当嵌入式存储器储存装置以焊接黏着至电 子装置的电路基板上时可有效地避免因高温而产生数据错误。再者，于焊接 之后，通过上述还原正常储存机制，嵌入式存储器储存装置即可正常地根据 电子装置的指令来进行数据的存取。基此，本发明范例实施例的数据管理方 法、存储器控制器与嵌入式存储器储存装置可有效地避免因焊接所产生的数 据遗失。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属 技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许 的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。