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用反极性离子注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片

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摘要

本发明用于LED照明驱动IC设计，提出了一种用反极性离子注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-13

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/76 申请公布日:20120711 申请日:20101220

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-11

公开

公开

1. 用反极性离子注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片 [P] . 中国专利： CN102569157A . 2012-07-11
2. 采用注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片 [P] . 中国专利： CN102469641A . 2012-05-23
3. Production of an integrated switching circuit comprises applying a spacer material to a substrate, partially back etching, masking with a mask and implanting a dopant and back etching the spacer [P] . 德国专利： DE19940317A1 . 2001-03-15

机译：集成开关电路的生产包括将隔离物材料施加到衬底上，部分地反蚀刻，用掩模掩膜，注入掺杂剂以及反蚀刻隔离物
4. Methods of forming integrated circuits using masks to provide ion implantation shielding to portions of a substrate adjacent to an isolation region therein and integrated circuits formed using same [P] . 美国专利： US2001054734A1 . 2001-12-27

机译：使用掩模形成集成电路以向衬底中与其隔离区域相邻的部分提供离子注入屏蔽的方法以及使用该掩模形成的集成电路
5. Methods of forming integrated circuits using masks to provide ion implantation shielding to portions of a substrate adjacent to an isolation region therein [P] . 美国专利： US6767787B2 . 2004-07-27

机译：使用掩模形成集成电路以向衬底中与其隔离区相邻的部分提供离子注入屏蔽的方法