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Entwicklung einer Technologie zur Herstellung eines neuartigen Substrates mit strukturierten vergrabenen Kobaltdisilizidschichten für die gemeinsame Integration bipolarer und unipolarer Bauteile auf einem SOI-Wafer

机译:开发用于生产具有结构化掩埋二硅化钴层的新型衬底的技术,以将双极性和单极性组件联合集成在SOI晶圆上

著录项

  • 作者

    Zimmermann Sven;

  • 作者单位
  • 年度 2007
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  • 正文语种
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