制造碳化硅单晶的方法和碳化硅衬底

摘要

由单晶碳化硅制成的第一和第二材料衬底(11、12)中的各个衬底具有第一和第二背面、第一和第二侧面以及第一和第二正面。所述第一和第二背面连接到所述支持部(30)上。所述第一和第二侧面相互面对且两者之间具有间隙，所述间隙具有在所述第一与第二正面之间的开口。形成封闭部(70)以封闭所述开口上的所述间隙。通过从所述第一和第二侧面向所述封闭部(70)上沉积升华物以形成用于封闭所述开口的连接部(BDa)。除去所述封闭部(BDa)。在所述第一和第二正面上生长碳化硅单晶。