一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种制作高效高压垂直通孔键合式LED芯片的结构和方法，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底和生长在一衬底表面的发光外延层，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；在所述衬底的第二表面形成一反射层，在该衬底第二表面形成的反射层上晶圆键合一散热性良好的底板；以及在所述第一表面上形成发光外延层，其中从所述发光外延层发射的光包括远离所述衬底方向传播的光以及向着所述衬底方向传播的光，向着所述衬底方向传播的光至少部分地透过所述衬底后被所述反射层反射。该发光外延层至少一个电极透过通孔和底板相连接。本发明还提供由该方法制作的高效高压垂直通孔键合式LED芯片。