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碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置

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SiC晶体(10)的制造方法包括以下步骤。即，准备制造装置(100)，所述制造装置(100)包含坩埚(101)和覆盖所述坩埚(101)的外周的隔热材料(121)。将原料(17)放置在所述坩埚(101)内。将晶种(11)以与所述原料(17)对向的方式放置在所述坩埚(101)内。通过对所述坩埚(101)内的所述原料(17)进行加热使其升华且将所得原料气体沉积在所述晶种(11)上而生长碳化硅晶体(10)。准备所述制造装置(100)的步骤包括在所述坩埚(101)于所述晶种(11)侧的外表面(101a)与所述隔热材料(121)之间设置由空间构成的散热部(131、132)的步骤。

著录项

公开/公告号CN102471930A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-23

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN201180002919.9
发明设计人西口太郎;
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申请日2011-02-16
分类号C30B29/36;C30B23/06;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨海荣
地址日本大阪府大阪市
入库时间 2023-12-18 05:21:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-03

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/36 申请公布日:20120523 申请日:20110216

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20110216

实质审查的生效
2012-05-23

公开

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