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使用氨基金属与卤化金属前体组合的含金属氮化物的薄膜沉积

摘要

公开由氨基金属前体与卤化金属前体的组合形成含金属氮化物的薄膜,优选由氨基硅烷前体与氯硅烷前体的组合形成含SiN的薄膜的方法。变化所述氨基金属前体及所述卤化金属前体的顺序反应实现了具有变化的化学计量的含金属氮化物的薄膜的形成。另外,该含金属氮化物的薄膜的组成可基于氨基金属前体的结构而改性。所公开方法可为热方法或低温下的等离子体方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102471885A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201180003392.1

  • 发明设计人 东野桂子;柳田和孝;

    申请日2011-04-01

  • 分类号C23C16/448(20060101);H01L21/205(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人徐国栋;林柏楠

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2023-12-18 05:21:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/448 申请公布日:20120523 申请日:20110401

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/448 申请日:20110401

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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