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采用单源分子前驱体制备高品质硫化锡纳米片的方法

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摘要

本发明涉及一种采用单源分子前驱体制备高品质硫化锡纳米片的方法。本发明采用将结晶四氯化锡加入到无水乙醇中，将二乙基二硫代氨基甲酸钠粉末加无水乙醇溶解，将前者放入后者中，搅拌、抽滤，在60℃干燥得到单源分子前驱体Sn-(DDTC)

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-03-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G19/00 申请公布日:20120530 申请日:20101124

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G19/00 申请日:20101124

实质审查的生效
2012-05-30

公开

公开

1. 采用单源分子前驱体制备高品质硫化锡纳米片的方法 [P] . 中国专利： CN102476825A . 2012-05-30
2. 采用单源分子前驱体制备高品质硫化铟铜的方法 [P] . 中国专利： CN101734712A . 2010-06-16
3. TIN SULFIDE PRECURSOR, THIN FILM USING TIN SULFIDE PRECURSOR, AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2013129746A1 . 2013-09-06

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4. METHOD FOR PRODUCING TIN DIOXIDE PRECURSOR PARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING TIN DIOXIDE PARTICLE [P] . 日本专利： JP2012193109A . 2012-10-11

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5. METHOD FOR INTERCALATING ORGANIC-SWELLED LAYERED METAL CHALCOGENIDE WITH A POLYMERIC CHALCOGENIDE BY PLURAL TREATMENTS WITH POLYMERIC CHALCOGENIDE PRECURSOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0419581A4 . 1991-09-11

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