闪烁信号检测装置

摘要

闪烁信号检测装置(1)包括受光部(10)、行选择部(20)、读出部(30)、检测部(40)及控制部(50)。通过行选择部(20)，在第1期间，使受光部(10)的第(2i-1)行的各像素部(P

说明书

技术领域

本发明涉及闪烁信号(blinking-signal)检测装置。

背景技术

固体摄像装置包括：受光部，将分别具有光电二极管及电荷储存 部的M×N个像素部P_1，1～P_M，N二维排列为M行N列；行选择部，对于 受光部的各像素部P_m，n，使在某个期间中由光电二极管所产生的电荷储 存于电荷储存部中，并且逐行地输出与各像素部P_m，n的该储存电荷量 对应的数据；及读出部，输入自受光部的各像素部P_m，n输出的数据并 输出与各像素部P_m，n的光电二极管的产生电荷量对应的数据，另外， 有时还包括对自该读出部输出的数据进行AD转换而输出数字值的AD (analog-digital，模拟-数字)转换部。

这样的固体摄像装置可检测到达受光部的各像素部P_m，n的光的强 度而进行摄像。另外，近年来，不仅使用这样的固体摄像装置进行摄 像，也尝试进行光通信。例如，在专利文献1所公开的发明中，根据 由固体摄像装置的摄像所获得的图像数据，检测受光部的所有像素部 的各自的时间性强度变化是否为规定图案，并将判断为时间性强度变 化为规定图案的像素部特定为接收到光信号。而且，将来自该特定的 像素部的数据设为光信号数据，由此，进行光通信。

专利文献

专利文献1：日本特开2007-324705号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1所公开的发明中，为了特定受光部的M×N个像素部 中接收光信号的像素部，需要用以存储多帧的图像数据的大容量的存 储部。另外，在专利文献1所公开的发明中，为了特定接收光信号的 像素部，需要光信号的闪烁图案是已知的。

本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于，提供一 种无需大容量的存储部，另外，无需光信号的闪烁图案是已知的，而 可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部的闪烁信号检测装置。

解决问题的技术手段

本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括：(1)受光 部，将M×N个像素部P_1，1～P_M，N二维排列为M行N列，该M×N个像 素部P_1，1～P_M，N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、 储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存部的储存电荷量对 应的数据的开关；(2)行选择部，将共同的时间宽度的第1期间及第2 期间一前一后地设定，在第1期间，对于受光部的第(2i-1)行的各像 素部P_2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第 2期间，对于受光部的第2i行的各像素部P_2i，n，使由光电二极管所产生 的电荷储存于电荷储存部中，在第1期间及第2期间之后选择受光部 的各行，逐行地对于各像素部P_m，n闭合开关而输出与电荷储存部的储 存电荷量对应的数据；(3)读出部，输入从行选择部所选择的受光部 的各行的各像素部P_m，n输出的数据，并输出与各像素部P_m，n的光电二 极管所产生的电荷量对应的数据D_m，n；及(4)检测部，输入自读出部 输出的各数据D_m，n，并根据数据D_2i-1，n、D_2i，n的差，检测到达像素部P_2i-1，n、 P_2i，n的光是否为闪烁信号。其中，M、N为2以上的整数，m为1以上 且M以下的整数，n为1以上且N以下的整数，i为1以上且(M/2) 以下的整数。

本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，将共同的 时间宽度的第1期间及第2期间一前一后地设定，在第1期间，使受 光部的第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光电二极管所产生的电荷储存 于电荷储存部，在第2期间，使受光部的第2i行的各像素部P_2i，n的光 电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第1期间及第2期间之 后选择受光部的各行，逐行地闭合各像素部P_m，n的开关而输出与电荷 储存部的储存电荷量对应的数据。在读出部中，输入从行选择部所选 择的受光部的各行的各像素部P_m，n输出的数据，并输出与各像素部P_m，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数据D_m，n。而且，在检测部中， 输入自读出部输出的各数据D_m，n，并根据数据D_2i-1，n、D_2i，n的差，检测 到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。

本发明所涉及的闪烁信号检测装置也可以为，行选择部一前一后 地选择受光部的第(2i-1)行及第2i行，读出部一前一后地输出数据 D_2i-1，n及数据D_2i，n。本发明所涉及的闪烁信号检测装置更优选为，(a) 行选择部同时选择受光部的第(2i-1)行及第2i行，输出与第(2i-1) 行的各像素部P_2i-1，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据，输出与第 2i行的各像素部P_2i，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据；(b)读 出部同时输出与第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光电二极管所产生的 电荷量对应的数据D_2i-1，n、及与第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管所 产生的电荷量对应的数据D_2i，n；(c)检测部运算自读出部同时输出的 数据D_2i-1，n、D_2i的差。再者，也可以为，设置有第1行选择部及第2 行选择部作为行选择部，设置有第1读出部及第2读出部作为读出部， 通过第1行选择部及第1读出部而进行第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的数据的读出动作，通过第2行选择部及第2读出部而进行第2i行的 各像素部P_2i，n的数据的读出动作，并列地进行由第1行选择部及第1 读出部进行的数据读出动作及由第2行选择部及第2读出部进行的数 据读出动作。

或者，本发明所涉及的闪烁信号检测装置的特征在于，包括：(1) 受光部，将M×N个像素部P_1，1～P_M，N二维排列为M行N列，该M×N 个像素部P_1，1～P_M，N分别具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二 极管、储存该电荷的电荷储存部、及用以输出与电荷储存部的储存电 荷量对应的数据的开关；(2)行选择部，依次设定共同的时间宽度的 第1～第4期间，在第1期间，对于受光部的第(4j-3)行的各像素部 P_4j-3，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第2期 间，对于受光部的第(4j-2)行的各像素部P_4j-2，n，使由光电二极管所 产生的电荷储存于电荷储存部中，在第3期间，对于受光部的第(4j-1) 行的各像素部P_4j-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部 中，在第4期间，对于受光部的第4j行的各像素部P_4j，n，使由光电二 极管所产生的电荷储存于电荷储存部中，在第4期间之后，选择受光 部的各行，逐行地对于各像素部P_m，n闭合开关而输出与电荷储存部的 储存电荷量对应的数据；(3)读出部，输入从行选择部所选择的受光 部的各行的各像素部P_m，n输出的数据，并输出与各像素部P_m，n的光电 二极管所产生的电荷量对应的数据D_m，n；及(4)检测部，输入自读出 部输出的各数据D_m，n，并根据数据D_4j-3，n、D_4j-1，n的差与数据D_4j-2，n、D_4j，n的差之和，检测到达像素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、P_4j-1，n、P_4j，n的光是否为闪烁 信号。其中，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的整数，n 为1以上且N以下的整数，j为1以上且(M/4)以下的整数。

本发明所涉及的闪烁信号检测装置中，通过行选择部，依次设定 共同的时间宽度的第1～第4期间，在第1期间使受光部的第(4j-3) 行的各像素部P_4j-3，n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在 第2期间使受光部的第(4j-2)行的各像素部P_4j-2，n的光电二极管所产 生的电荷储存于电荷储存部，在第3期间使受光部的第(4j-1)行的各 像素部P_4j-1，n的光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部，在第4期 间使受光部的第4j行的各像素部P_4j，n的光电二极管所产生的电荷储存 于电荷储存部，在第4期间之后选择受光部的各行，逐行地闭合各像 素部P_m，n的开关而输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。在读 出部中，输入从行选择部所选择的受光部的各行的各像素部P_m，n输出 的数据，并输出与各像素部P_m，n的光电二极管所产生的电荷量对应的 数据D_m，n。而且，在检测部中，输入自读出部输出的各数据D_m，n，并 根据数据D_4j-3，n、D_4j-1，n的差与数据D_4j-2，n，D_4j，n的差之和，检测到达像 素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、P_4j-1，n、P_4j，n的光是否为闪烁信号。

发明的效果

本发明所涉及的闪烁信号检测装置，无需大容量的存储部，无需 光信号的闪烁图案是已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的 像素部。

附图说明

图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构 成的图。

图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部 30的构成的图。

图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部 P_m，n及保持部31_n的电路构成的图。

图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算 部33的电路构成的图。

图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择 部20的构成的一部分的图。

图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部 40的构成的图。

图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的 一例的时序图。

图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进行 说明的图。

图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构 成的图。

图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读 出部30₁及第2读出部30₂的各自的构成的图。

图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部 P_m，n及第1读出部30₁的保持部31_n的电路构成的图。

图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构 成的图。

图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部 40B的构成的图。

图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行 说明的图。

符号的说明

1～3闪烁信号检测装置

10受光部

20、20₁、20₂、20B行选择部

30、30₁、30₂读出部

31₁～31_N保持部

32列选择部

33差运算部

40、40A、40B检测部

41、41₁～41₃存储部

42、43运算部

50、50A、50B控制部

P_1，1～P_M，N像素部

L₁～L_N、L1₁～L1_N、L2₁～L2_N读出信号线

LT₁～LT_M、LR₁～LR_M、LH₁～LH_M、LA1₁～LA1_M、LA2₁～LA2_M控制 信号线

具体实施方式

以下，参照附图，详细地说明用以实施本发明的方式。再者，附 图的说明中，对于相同要素附上相同符号，省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的概略构 成的图。该图所示的闪烁信号检测装置1包括受光部10、行选择部20、 读出部30、检测部40及控制部50。

受光部10包含M×N个像素部P_1，1～P_M，N。M×N个像素部P_1，1～P_M，N具有共同的构成，二维排列为M行N列。各像素部P_m，n位于第m行第 n列。此处，M、N为2以上的整数，m为1以上且M以下的各整数， n为1以上且N以下的各整数。

各像素部P_m，n具有产生与入射光量对应的量的电荷的光电二极管、 及储存该电荷的电荷储存部。各像素部P_m，n根据经由控制信号线而自 行选择部20接收的各种控制信号，将光电二极管所产生的电荷储存于 电荷储存部，并向读出信号线L_n输出与该电荷储存部的储存电荷量对 应的数据。

行选择部20输出用以控制受光部10的各像素部P_m，n的动作的各 种控制信号。更具体而言，行选择部20，在第1期间，对于受光部10 的第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷储存 于电荷储存部中。另外，行选择部20，在第2期间，对于受光部10 的第2i行的各像素部P_2i，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷 储存部中。而且，行选择部20，在第1期间及第2期间之后，选择受 光部10的各行，并逐行地对于各像素部P_m，n输出与电荷储存部的储存 电荷量对应的数据。此处，第1期间及第2期间是一前一后的期间且 具有共同的时间宽度，i为1以上且(M/2)以下的各整数。

读出部30与N根读出信号线L₁～L_N连接，输入从行选择部20所 选择的受光部10的第m行的各像素部P_m，n向读出信号线L_n输出的数 据，并向检测部40输出与第m行的各像素部P_m，n的光电二极管所产生 的电荷量对应的数据D_m，n。

检测部40输入自读出部30输出的各数据D_m，n，并根据数据D_2i-1，n、 D_2i，n的差，检测到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。

控制部50通过控制行选择部20、读出部30及检测部40的各自的 动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控制部 50控制行选择部20的向受光部10的各种控制信号的发送、读出部30 的来自各像素部P_m，n的数据的输入、读出部30的各数据D_m，n的输出、 及检测部40的处理的各动作时序。

图2是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的读出部 30的构成的图。该图中，在受光部10中代表性地表示有M×N个像素 部P_1，1～P_M，N中的第m行第n列的像素部P_m，n，另外，在读出部30中表 示有与该像素部P_m，n关联的构成要素。

读出部30包含N个保持部31₁～31_N、列选择部32及差运算部33。 N个保持部31₁～31_N具有共同的构成。各保持部31_n可经由读出信号线 L_n而与受光部10的第n列的M个像素部P_1，n～P_M，n连接，输入从行选 择部20所选择的第m行的像素部P_m，n向读出信号线L_n输出的数据， 保持该数据，并输出所保持的数据。各保持部31_n优选为输入并保持重 叠有噪声成分的信号成分的数据，并且输入并保持仅有噪声成分的数 据。

N个保持部31₁～31_N可根据自列选择部32接收的各种控制信号， 以相同时序采样并保持数据，且依次输出所保持的数据。差运算部33 输入自N个保持部31₁～31_N的各个依次输出的数据，并自重叠有噪声 成分的信号成分的数据中减去仅有噪声成分的数据，输出与信号成分 对应的数据D_m，n。差运算部33可将与信号成分对应的数据作为模拟数 据输出，也可具有AD转换功能而输出数字数据，如此，读出部30可 输出与第m行的各像素部P_m，n的光电二极管所产生的电荷量对应的数 据D_m，n。

图3是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的像素部 P_m，n及保持部31_n的电路构成的图。该图中，在受光部10中也代表性 地表示有M×N个像素部P_1，1～P_M，N中的第m行第n列的像素部P_m，n，另 外，在读出部30中也表示有与该像素部P_m，n关联的保持部31_n。

各像素部P_m，n为APS(Active Pixel Sensor，主动像素传感器)方 式的像素部，包括光电二极管PD及5个MOS(Metal Oxide  Semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管T1、T2、T3、T4、T5。如 该图所示，晶体管T1、晶体管T2及光电二极管PD依次串联连接，对 晶体管T1的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子接 地。晶体管T1与晶体管T2的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管 T3的栅极端子。

对晶体管T3的漏极端子输入基准电压。晶体管T3的源极端子与 晶体管T4的漏极端子连接。各像素部P_m，n的晶体管T4的源极端子连 接于读出信号线L_n。在读出信号线L_n上连接有恒定电流源。

对各像素部P_m，n的重置用的晶体管T1的栅极端子输入自行选择部 20输出的Reset(m)信号。对各像素部P_m，n的传输用的晶体管T2的 栅极端子输入自行选择部20输出的Trans(m)信号。对各像素部P_m，n的保持用的晶体管T5的栅极端子输入自行选择部20输出的Hold(m) 信号。对各像素部P_m，n的输出选择用的晶体管T4的栅极端子输入自行 选择部20输出的Address(m)信号。这些控制信号(Reset(m)信号、 Trans(m)信号、Hold(m)信号、Address(m)信号)共同地自行选 择部20输入至第m行的N个像素部P_m，1～P_m，N。

当Reset(m)信号、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平 时，光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅 极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当Trans(m)信号为低电平 时，将光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset(m) 信号为低电平、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光电 二极管PD的接合电容部中储存的电荷传输并储存于与晶体管T3的栅 极端子连接的扩散区域(电荷储存部)中。

当Address(m)信号为高电平时，经由晶体管T4而向读出信号 线L_n输出与连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电荷储存部) 中所储存的电荷量对应的数据(重叠有噪声成分的信号成分的数据)。 即，晶体管T4作为用以向读出信号线L_n输出与电荷储存部的储存电 荷量对应的数据的开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状 态时，仅有噪声成分的数据经由晶体管T4向读出信号线L_n输出。

各保持部31_n包含2个电容元件C₁、C₂、及4个开关SW₁₁、SW₁₂、 SW₂₁、SW₂₂。该保持部31_n中，开关SW₁₁及开关SW₁₂串联连接并设 置于读出信号线L_n与配线Hline_s之间，电容元件C₁的一端连接于开 关SW₁₁与开关SW₁₂之间的连接点，且电容元件C₁的另一端接地。另 外，开关SW₂₁及开关SW₂₂串联连接并设置于读出信号线L_n与配线 Hline_n之间，电容元件C₂的一端连接于开关SW₂₁与开关SW₂₂之间 的连接点，且电容元件C₂的另一端接地。

该保持部31_n中，开关SW₁₁根据自列选择部32供给的set_s信号 的电平而开闭。开关SW₂₁根据自列选择部32供给的set_n信号的电平 而开闭。set_s信号及set_n信号共同地输入至N个保持部31₁～31_N。开 关SW₁₂、SW₂₂根据自列选择部32供给的hshift(n)信号的电平而开 闭。

该保持部31_n中，当set_n信号自高电平转向低电平而开关SW₂₁打开时，自像素部P_m，n向读出信号线L_n输出的噪声成分随后通过电容 元件C₂而作为电压值out_n(n)加以保持。当set_s信号自高电平转 向低电平而开关SW₁₁打开时，自像素部P_m，n向读出信号线L_n输出的重 叠有噪声成分的信号成分随后通过电容元件C₁而作为电压值out_s(n) 加以保持。而且，若hshift(n)信号成为高电平，则开关SW₁₂闭合， 向配线Hline_s输出通过电容元件C₁而保持的电压值out_s(n)，另外， 开关SW₂₂闭合，向配线Hline_n输出通过电容元件C₂而保持的电压值 out_n(n)。这些电压值out_s(n)与电压值out_n(n)的差，表示与 像素部P_m，n的光电二极管PD所产生的电荷量对应的电压值。

图4是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的差运算 部33的电路构成的图。如该图所示，差运算部33包含放大器A₁～A₃、 开关SW₁、SW₂及电阻器R₁～R₄。放大器A₃的反转输入端子经由电阻 器R₁而与缓冲放大器A₁的输出端子连接，并经由电阻器R₃而与自身 的输出端子连接。放大器A₃的非反转输入端子经由电阻器R₂而与缓冲 放大器A₂的输出端子连接，并经由电阻器R₄而与接地电位连接。缓冲 放大器A₁的输入端子经由配线Hline_s而与N个保持部31₁～31_N连接， 并经由开关SW₁而与接地电位连接。缓冲放大器A₂的输入端子经由配 线Hline_n而与N个保持部31₁～31_N连接，并经由开关SW₂而与接地 电位连接。

差运算部33的开关SW₁、SW₂由自列选择部32供给的hreset信 号控制而进行开闭动作。通过闭合开关SW₁，而重置输入至缓冲放大 器A₁的输入端子的电压值。通过闭合开关SW₂，而重置输入至缓冲放 大器A₂的输入端子的电压值。当开关SW₁、SW₂打开时，自N个保持 部31₁～31_N中的任意的保持部31_n向配线Hline_s、Hline_n输出的电压 值out_s(n)、out_n(n)输入至缓冲放大器A₁、A₂的输入端子。若将 缓冲放大器A₁、A₂的各自的放大率设为1，且将4个电阻器R₁～R₄的 各自的电阻值设为彼此相等，则自差运算部33的输出端子输出的电压 值表示分别经由配线Hline_s及配线Hline_n而输入的电压值的差，且 已除去噪声成分。

图5是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的行选择 部20的构成的一部分的图。行选择部20除了具有M段的移位缓存器 之外，相对于各个奇数行(第(2i-1)行)而具有该图(a)所示的电 路，且相对于各个偶数行(第2i行)而具有该图(b)所示的电路。M 段的移位缓存器自其中的第m段输出Address(m)信号并将其提供给 第m行的各像素部P_m，n。

如该图(a)所示，Trans(2i-1)信号制作成Address(2i-1)信号 和S_odd信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。Reset(2i-1)信号制作 成Address(2i-1)信号和S_odd信号的逻辑和、与R信号的逻辑积。 Hold(2i-1)信号制作成Address(2i-1)信号和S_odd信号的逻辑和、 与H信号的逻辑积。将这些Trans(2i-1)信号、Reset(2i-1)信号及 Hold(2i-1)信号提供给第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n。

如该图(b)所示，Trans(2i)信号制作成Address(2i)信号和 S_even信号的逻辑和、与T信号的逻辑积。Reset(2i)信号制作成Address (2i)信号和S_even信号的逻辑和、与R信号的逻辑积。Hold(2i) 信号制作成Address(2i)信号和S_even信号的逻辑和、与H信号的 逻辑积。将这些Trans(2i)信号、Reset(2i)信号及Hold(2i)信号 提供给第2i行的各像素部P_2i，n。

自控制部50向行选择部20提供S_odd信号、S_even信号、R信 号、T信号及H信号，以此方式构成的行选择部20在由S_odd信号所 指示的第1期间，可对于受光部10的第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n， 使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。另外，行选择部 20在由S_even信号所指示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的 各像素部P_2i，n，使由光电二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。而 且，行选择部20在第1期间及第2期间之后，可根据Address(m)信 号而选择受光部10的各行，并逐行地对于各像素部P_m，n向读出信号线 L_n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。

图6是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的检测部 40的构成的图。检测部40输入自读出部30逐行地输出的各数据D_m，n。 检测部40包含存储部41及运算部42。存储部41存储第(2i-1)行的 N个数据D_2i-1，n及第2i行的N个D_2i，n中先输入的第(2i-1)行的N个 数据D_2i-1，n。运算部42输入后输入的第2i行的N个D_2i，n，并且也输入 通过存储部41而存储的第(2i-1)行的N个数据D_2i-1，n，运算出这些数 据D_2i-1，n、D_2i，n的差(D_2i-1，n-D_2i，n)。然后，检测部40根据该差(D_2i-1，n-D_2i，n)， 检测到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。此处，保持于存储 部41中的数据并不限于数字数据，也可以模拟电压的形式保持而求出 差分。

图7是表示第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作的 一例的时序图。该图中，自上起依次显示有：向闪烁信号检测装置1 的受光部10的光信号入射的有无；自控制部50向行选择部20提供的 S_odd信号、S_even信号、R信号、T信号及H信号；在读出部30中 自列选择部32向各保持部31_n提供的set_s信号及set_n信号；自行选 择部20向第1行的各像素部P_1，n提供的Address(1)信号；自行选择 部20向第2行的各像素部P_2，n提供的Address(2)信号；及在读出部 30中自列选择部32向各保持部31_n提供的hshift(1)信号～hshift(N) 信号。

在向受光部10入射光信号的第1期间，S_odd信号成为高电平， S_even信号成为低电平。在该第1期间的某个一定期间，R信号、T 信号及H信号成为高电平，且Reset(2i-1)信号、Trans(2i-1)信号 及Hold(2i-1)信号成为高电平，第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光 电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子 的扩散区域(电荷储存部)放电。在第1期间中的接着的某个一定期 间，R信号、T信号及H信号成为低电平，Reset(2i-1)信号、Trans (2i-1)信号及Hold(2i-1)信号成为低电平，且第(2i-1)行的各像 素部P_2i-1，n的光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。然后， 在第1期间中的再接着的某个一定期间，R信号成为低电平且T信号 及H信号成为高电平，Reset(2i-1)信号成为低电平，Trans(2i-1) 信号及Hold(2i-1)信号成为高电平，且第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体 管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些动作在受光部 10的所有第奇数行的各像素部中并列地进行。

在不向受光部10入射光信号的第2期间，S_odd信号成为低电平， S_even信号成为高电平。在该第2期间的某个一定期间，R信号、T 信号及H信号成为高电平，Reset(2i)信号、Trans(2i)信号及Hold (2i)信号成为高电平，且第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管PD的 接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域(电 荷储存部)放电。在第2期间中的接着的某个一定期间，R信号、T信 号及H信号成为低电平，Reset(2i)信号、Trans(2i)信号及Hold(2i) 信号成为低电平，且第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管PD所产生 的电荷储存于接合电容部。然后，在第2期间中的再接着的某个一定 期间，R信号成为低电平且T信号及H信号成为高电平，Reset(2i) 信号成为低电平，Trans(2i)信号及Hold(2i)信号成为高电平，且 第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管PD的接合电容部中所储存的电 荷传输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存 部)。这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地进行。

在第1期间及第2期间之后，自行选择部20向第1行的各像素部 P_1，n提供的Address(1)信号成为高电平。在Address(1)信号成为高 电平的期间，向各保持部31_n提供的set_s信号仅在一定期间成为高电 平，继而R信号及T信号仅在一定期间成为高电平，且第1行的各像 素部P_1，n的电荷储存部放电，继而向各保持部31_n提供的set_n信号仅 在一定期间成为高电平。由此，自各像素部P_1，n向读出信号线L_n输出 的重叠有噪声成分的信号成分通过保持部31_n的电容元件C₁而作为电 压值out_s(n)加以保持。另外，自各像素部P_1，n向读出信号线L_n输 出的噪声成分通过保持部31_n的电容元件C₂而作为电压值out_n(n) 加以保持。其后，hshift(1)信号hshift(N)信号依次成为高电平， 依次输出由各保持部31₁～31_N所保持的电压值，并通过差运算部33自 重叠有噪声成分的信号成分的数据中减去仅有噪声成分的数据，输出 与第1行的各像素部P_1，n的信号成分对应的数据D_1，1～D_1，N。之后也同样 地，逐行输出各行的各像素部P_m，n的数据D_m，n。

然后，检测部40中，首先输入第1行的各像素部P_1，n的数据D_1，n并通过存储部41而加以存储。继而，当输入第2行的各像素部P_2，n的 数据D_2，n时，将该数据D_2，n输入至运算部42，并且将通过存储部41而 存储的数据D_1，n输入至运算部42，在运算部42中运算出这些数据D_1，n， D_2，n的差(D_1，n-D_2，n)。然后，检测部40根据该差(D_1，n-D_2，n)而检测到 达像素部P_1，n，P_2，n的光是否为闪烁信号。

继而，检测部40中，输入第3行的各像素部P_3，n的数据D_3，n并通 过存储部41而加以存储。继而，当输入第4行的各像素部P_4，n的数据 D_4，n时，将该数据D_4，n输入至运算部42，并且将通过存储部41而存储 的数据D_3，n输入至运算部42，在运算部42中运算出这些数据D_3，n、D_4，n的差(D_3，n-D_4，n)。然后，检测部40根据该差(D_3，n-D_4，n)而检测到达像 素部P_3，n，P_4，n的光是否为闪烁信号。

之后也同样地，检测部40根据数据D_2i-1，n，D_2i，n的差(D_2i-1，n-D_2i，n) 而检测到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。

图8是对第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的动作进 说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的 第(2i-1)行的像素部中的电荷储存时序A、及受光部10的第2i行的 像素部中的电荷储存时序B。之前的图7中，受光部10的第(2i-1) 行的像素部中的电荷储存时序A设为与光信号入射时序一致，但该图 8中，电荷储存时序A、B均是一部分与光信号入射时序重叠。电荷储 存时序A、B的各相位仅相差1/2周期。

图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A、B分别与光信号 入射时序重叠的范围，相当于数据D_2i-1，n、D_2i，n的大小。若闪烁信号到 达像素部P_2i-1，n、P_2i，n，且在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大 小不同，即差(D_2i-1，n-D_2i，n)不为零，则可通过检测部40检测出闪烁信 号到达的情况。另一方面，若一定强度的光到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n，则 由于在电荷储存时序A、B之间的阴影线范围的大小相等，因而可通 过检测部40检测出闪烁信号未到达。

如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1仅具备存储1行 的数据的存储部41即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方式所 涉及的闪烁信号检测装置1无需光信号的闪烁图案是已知的，而可特 定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。

再者，为了检测如上所述的闪烁的光信号，该光信号必需到达至 少某2个像素部P_2i-1，n、P_2i，n。因此，也可有意地使设置于受光部10的 前面的光学系统向受光面10的成像变得模糊，从而使光信号到达受光 部10的较广范围。另外，若到达受光部10的光的强度分布在邻接的 行之间不同，则有时会误检测为光信号已到达，但通过有意地使光学 系统向受光面10的成像变得模糊，可防止这样的误检测。

(第2实施方式)

图9是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的概略构 成的图。该图所示的闪烁信号检测装置2包括受光部10、第1行选择 部20₁、第2行选择部20₂、第1读出部30₁、第2读出部30₂、检测部 40A及控制部50A。

若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构 成加以比较，则该图9所示的第2实施方式的闪烁信号检测装置2的 不同点在于：受光部10的各像素部P_m，n的构成不同；具备第1行选择 部20₁及第2行选择部20₂来代替行选择部20；具备第1读出部30₁及 第2读出部30₂来代替读出部30；具备检测部40A来代替检测部40； 及具备控制部50A来代替控制部50。

第1行选择部20₁及第1读出部30₁对受光部10的奇数行(第(2i-1) 行)的各像素部P_2i-1，n进行放电、电荷储存及数据读出。第2行选择部 20₂及第2读出部30₂对受光部10的偶数行(第2i行)的各像素部P_2i，n进行放电、电荷储存及数据读出。第1行选择部20₁及第1读出部30₁、 与第2行选择部20₂及第2读出部30₂彼此并列地进行数据读出的动作。

控制部50A控制第1行选择部20₁、第2行选择部20₂、第1读出 部30₁及第2读出部30₂的各自的动作，以进行上述的并列动作。另外， 由于进行上述并列动作，因而第2实施方式的检测部40A具有与第1 实施方式的检测部40不同的构成。另外，由于进行上述并列动作，因 而第2实施方式的各像素部P_m，n具有与第1实施方式的各像素部不同 的构成。

图10是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的第1读 出部30₁及第2读出部30₂各自的构成的图。该图中，受光部10中代 表性表示有M×N个像素部P_1，1～P_M，N中的第m行第n列的像素部P_m，n， 另外，第1读出部30₁及第2读出部30₂分别表示有与该像素部P_m，n相 关的构成要素。

第1读出部30₁及第2读出部30₂分别具有与第1实施方式的读出 部30相同的构成。其中，第1读出部30₁的各保持部31_n可经由读出 信号线L1_n而与受光部10的第n列的M个像素部P_1，n～P_M，n连接，输入 从第1行选择部20₁所选择的第m行的像素部P_m，n向读出信号线L1_n输出的数据并保持该数据，且输出所保持的数据。另外，第2读出部 30₂的各保持部31_n可经由读出信号线L2_n而与受光部10的第n列的M 个像素部P_1，n～P_M，n连接，输入从第2行选择部20₂所选择的第m行的 像素部P_m，n向读出信号线L2_n输出的数据并保持该数据，且输出所保持 的数据。

图11是表示第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2的像素部 P_m，n及第1读出部30₁的保持部31_n的电路构成的图。该图中，受光部 10中也代表性地表示有M×N个像素部P_1，1～P_M，N中的第m行第n列的 像素部P_m，n，另外，第1读出部30₁中也表示有与该像素部P_m，n相关的 保持部31_n。

各像素部P_m，n是APS(Active Pixel Sensor)方式的像素部，包含 光电二极管PD及6个MOS晶体管T1、T2、T3、T4₁、T4₂、T5。如 该图所示，晶体管T1、晶体管T2及光电二极管PD依次串联连接，对 晶体管T1的漏极端子输入基准电压，且光电二极管PD的阳极端子接 地。晶体管T1与晶体管T2的连接点经由晶体管T5而连接于晶体管 T3的栅极端子。

对晶体管T3的漏极端子输入基准电压。晶体管T3的源极端子与 晶体管T4₁、T4₂的各自的漏极端子连接。各像素部P_m，n的晶体管T4₁的源极端子连接于读出信号线L1_n。各像素部P_m，n的晶体管T4₂的源极 端子连接于读出信号线L2_n。读出信号线L1_n及读出信号线L2_n上分别 连接有恒定电流源。

各像素部P_m，n的传输用的晶体管T2的栅极端子与控制信号线LT_m连接，且输入自第1行选择部20₁或第2行选择部20₂输出的Trans(m) 信号。各像素部P_m，n的重置用的晶体管T1的栅极端子与控制信号线 LR_m连接，且输入自第1行选择部20₁或第2行选择部20₂输出的Reset (m)信号。各像素部P_m，n的保持用的晶体管T5的栅极端子与控制信 号线LH_m连接，且输入自第1行选择部20₁或第2行选择部20₂输出的 Hold(m)信号。

各像素部P_m，n的输出选择用的晶体管T4₁的栅极端子与控制信号 线LA1_m连接，且输入自第1行选择部20₁输出的Address1(m)信号。 各像素部P_m，n的输出选择用的晶体管T4₂的栅极端子与控制信号线 LA2_m连接，且输入自第2行选择部20₂输出的Address2(m)信号。 这些控制信号(Reset(m)信号、Trans(m)信号、Hold(m)信号、 Address1(m)信号、Address2(m)信号)对第m行的N个像素部 P_m，1～P_m，N共同地输入。

控制信号线LT_m、控制信号线LR_m及控制信号线LH_m对应于每行 而设置，传输指示第m行的各像素部P_m，n的光电二极管PD的接合电 容部及电荷储存部各自的放电及电荷储存部的电荷储存的控制信号 (Reset(m)信号、Trans(m)信号、Hold(m)信号)。这些控制信 号线的第1端经由开关而连接于第1行选择部20₁，另外，这些控制信 号线的第2端经由开关而连接于第2行选择部20₂。设置于这些控制信 号线的各自的两端的2个开关并不会同时闭合，而是始终至少一方打 开。再者，也可使用三态缓冲器来代替这些开关，该情况下，设置于 这些控制信号线的各自的两端的2个三态缓冲器并不会同时处于导通 状态，而是始终至少一方处于高阻抗状态。

控制信号线LA1_m及控制信号线LA2_m对应于每行而设置，传输指 示向第m行的各像素部P_m，n的读出信号线L1_n或读出信号线L2_n的数 据输出的控制信号(Address1(m)信号、Address2(m)信号)。各控 制信号线LA1_m连接于第1行选择部20₁。各控制信号线LA2_m连接于 第2行选择部20₂。Address1(m)信号与Address2(m)信号并不会 同时为高电平，晶体管T4₁与晶体管T4₂不会同时成为接通状态。

当Reset(m)信号、Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平 时，光电二极管PD的接合电容部放电，另外，连接于晶体管T3的栅 极端子的扩散区域(电荷储存部)放电。当Trans(m)信号为低电平 时，光电二极管PD所产生的电荷储存于接合电容部。当Reset(m) 信号为低电平、且Trans(m)信号及Hold(m)信号为高电平时，光 电二极管PD的接合电容部中所储存的电荷传输并储存于与晶体管T3 的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。

当Address1(m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端 子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有 噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体管T4₁而向读出信号线L1_n输 出，并向第1读出部30₁的保持部31_n输入。即，晶体管T4₁作为用以 将与电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线L1_n输出的第1 开关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成 分的数据经由晶体管T4₁向读出信号线L1_n输出。

当Address2(m)信号为高电平时，与连接于晶体管T3的栅极端 子的扩散区域(电荷储存部)中所储存的电荷量对应的数据(重叠有 噪声成分的信号成分的数据)，经由晶体管T4₂向读出信号线L2_n输出， 并向第2读出部30₂的保持部31_n输入。即，晶体管T4₂作为用以将与 电荷储存部的储存电荷量对应的数据向读出信号线L2_n输出的第2开 关而发挥作用。再者，当电荷储存部处于放电状态时，仅有噪声成分 的数据经由晶体管T4₂向读出信号线L2_n输出。

第1行选择部20₁及第2行选择部20₂分别具有M段的移位缓存器。 第1行选择部20₁的M段的移位缓存器自其中的第m段将Address1(m) 信号向控制信号线LA1_m输出并提供给第m行的各像素部P_m，n。第2 行选择部20₂的M段的移位缓存器自其中的第m段将Address2(m) 信号向控制信号线LA2_m输出并提供给第m行的各像素部P_m，n。另外， 第1行选择部20₁相对于各奇数行(第(2i-1)行)而具有图5(a)所 示的电路，第2行选择部20₂相对于各偶数行(第2i行)而具有图5 (b)所示的电路。

第1行选择部20₁在由S_odd信号所指示的第1期间，可对于受光 部10的第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n，使由光电二极管所产生的电荷 储存于电荷储存部中。另外，第2行选择部20₂在由S_even信号所指 示的第2期间，可对于受光部10的第2i行的各像素部P_2i，n，使由光电 二极管所产生的电荷储存于电荷储存部中。各像素部P_2i，n的放电及电 荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。

第1行选择部20₁在第1期间及第2期间之后，可根据Address1 (2i-1)信号而选择受光部10的奇数行(第(2i-1)行)，并逐行地对 于各像素部P_2i-1，n向读出信号线L1_n输出与电荷储存部的储存电荷量对 应的数据。第2行选择部20₂在第1期间及第2期间之后，根据Address2 (2i)信号而选择受光部10的偶数行(第2i行)，并逐行地对于各像 素部P_2i，n向读出信号线L2_n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数 据。自第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n经由读出信号线L1_n及第1读出 部30₁而向检测部40A的数据读出，以及自第2i行的各像素部P_2i，n经 由读出信号线L2_n及第2读出部30₂而向检测部40A的数据读出，彼此 并列地进行。

即，第1行选择部20₁及第2行选择部20₂同时选择受光部10的 第(2i-1)行及第2i行，并使与第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的电荷 储存部的储存电荷量对应的数据输出，并使与第2i行的各像素部P_2i，n的电荷储存部的储存电荷量对应的数据输出。第1读出部30₁及第2读 出部30₂将与第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光电二极管所产生的电荷 量对应的数据D_2i-1，n、及与第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管所产生 的电荷量对应的数据D_2i，n，同时向检测部40A输出。

检测部40A运算出自读出部30₁、30₂同时输出的数据D_2i-1，n、D_2i的差，并根据该差而检测到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。

第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2以如下方式进行动作。 在光信号向受光部10入射的第1期间，通过第1行选择部20₁，而将 第(2i-1)行的各像素部P_2i-1，n的光电二极管PD所产生的电荷传输并 储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。这些 动作对于受光部10的所有第奇数行的各像素部并列地进行。

另外，在光信号未向受光部10入射的第2期间，通过第2行选择 部20₂，而将第2i行的各像素部P_2i，n的光电二极管PD所产生的电荷传 输并储存于与晶体管T3的栅极端子连接的扩散区域(电荷储存部)。 这些动作在受光部10的所有第偶数行的各像素部中并列地进行。

这些各像素部P_m，n的电荷储存的时序与第1实施方式的情况相同。 第2实施方式的数据读出动作的时序与第1实施方式的情况不同。

第2实施方式中，在第1期间及第2期间之后，自第1行选择部 20₁向第1行的各像素部P_1，n提供的Address1(1)信号、自第2行选择 部20₂向第2行的各像素部P_2，n提供的Address2(2)信号在相同期间 成为高电平。然后，自第1读出部30₁向第1行的各像素部P_1，n的数据 D_1，n的输出、及自第2读出部30₂向第2行的各像素部P_2，n的数据D_2，n的输出同时进行。检测部40A中，同时输入第1行的各像素部P_1，n的 数据D_1，n及第2行的各像素部P_2，n的数据D_2，n，并运算出这些数据D_1，n、 D_2，n的差(D_1，n-D_2，n)。然后，检测部40A根据该差(D_1，n-D_2，n)，检测到 达像素部P_1，n、P_2，n的光是否为闪烁信号。

继而，自第1行选择部20₁向第3行的各像素部P_3，n提供的Address1 (3)信号、及自第2行选择部20₂向第4行的各像素部P_4，n提供的 Address2(4)信号在相同期间成为高电平。然后，自第1读出部30₁向第3行的各像素部P_3，n的数据D_3，n的输出、及自第2读出部30₂向第 4行的各像素部P_4，n的数据D_4，n的输出同时进行。检测部40A中，同时 输入第3行的各像素部P_3，n的数据D_3，n及第4行的各像素部P_4，n的数据 D_4，n，并运算出这些数据D_3，n、D_4，n的差(D_3，n-D_4，n)。然后，检测部40A 根据该差(D_3，n-D_4，n)，检测到达像素部P_3，n、P_4，n的光是否为闪烁信号。

之后也同样地，检测部40A根据数据D_2i-1，n、D_2i，n的差(D_2i-1，n-D_2i，n)， 检测到达像素部P_2i-1，n、P_2i，n的光是否为闪烁信号。

第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1必需具备存储1行的 数据的存储部41，但第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2无需 具备这样的存储部。另外，第2实施方式所涉及的闪烁信号检测装置2 与第1实施方式的情况同样地，无需光信号的闪烁图案是已知的，而 可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。

(第3实施方式)

图12是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的概略构 成的图。该图所示的闪烁信号检测装置3包括受光部10、行选择部20B、 读出部30、检测部40B及控制部50B。

若与图1所示的第1实施方式所涉及的闪烁信号检测装置1的构 成加以比较，则该图12所示的第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装 置3的不同点在于：具备行选择部20B来代替行选择部20；具备检测 部40B来代替检测部40；及具备控制部50B来代替控制部50。

行选择部20B输出用以控制受光部10的各像素部P_m，n的动作的各 种控制信号。更具体而言，行选择部20B在第1期间，对于受光部10 的第(4j-3)行的各像素部P_4j-3，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储 存于电荷储存部中。行选择部20B在第2期间，对于受光部10的第 (4j-2)行的各像素部P_4j-2，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于 电荷储存部中。

行选择部20B在第3期间，对于受光部10的第(4j-1)行的各像 素部P_4j-1，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。 另外，行选择部20B在第4期间，对于受光部10的第4j行的各像素 部P_4j，n，使由光电二极管PD所产生的电荷储存于电荷储存部中。然后， 行选择部20B在第4期间之后，选择受光部10的各行，并逐行地对于 各像素部P_m，n输出与电荷储存部的储存电荷量对应的数据。此处，第 1～第4期间依次设定，且具有共同的时间宽度。另外，j是1以上且(M/4) 以下的各整数。

读出部30与N根读出信号线L₁～L_N连接，且输入从行选择部20 所选择的受光部10的第m行的各像素部P_m，n向读出信号线L_n输出的 数据，并将与第m行的各像素部P_m，n的光电二极管所产生的电荷量对 应的数据D_m，n向检测部40B输出。

检测部40B输入自读出部30输出的各数据D_m，n，并根据数据D_4j-3，n、 D_4j-1，n的差与数据D_4j-2，n、D_4j，n的差之和，检测到达像素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、 P_4j-1，n、P_4j，n的光是否为闪烁信号。

控制部50B通过控制行选择部20B、读出部30及检测部40B的各 自的动作，而控制闪烁信号检测装置1整体的动作。更具体而言，控 制部50B控制行选择部20B的向受光部10的各种控制信号的发送、读 出部30的来自各像素部P_m，n的数据的输入、读出部30的各数据D_m，n的输出、及检测部40B的处理的各动作时序。

图13是表示第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的检测部 40B的构成的图。检测部40B输入自读出部30逐行地输出的各数据 D_m，n。检测部40B包含存储部41₁～41₃及运算部43。存储部41₁存储第 (4j-3)行的N个数据D_4j-3，n。存储部41₂存储第(4j-2)行的N个数 据D_4j-2，n。存储部41₃存储第(4j-1)行的N个数据D_4j-1，n。

运算部43输入第4j行的N个D_4j，n，并且也输入通过存储部41₁～41₃而存储的第(4j-3)行的N个数据D_4j-3，n、第(4j-2)行的N个数据D_4j-2，n及第(4j-1)行的N个数据D_4j-1，n。然后，运算部43求出数据D_4j-3，n、 D_4j-1，n的差与数据D_4j-2，n、D_4j，n的差之和S(＝|D_4j-3，n-D_4j-1，n|+|D_4j-2，n-D_4j，n|)， 并根据该运算结果S，检测到达像素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、P_4j-1，n、P_4j，n的光 是否为闪烁信号。

图14是对第3实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3的动作进行 说明的图。该图中，自上起依次表示有光信号入射时序、受光部10的 第(4j-3)行的像素部的电荷储存时序A、受光部10的第(4j-2)行的 像素部中的电荷储存时序B、受光部10的第(4j-1)行的像素部中的 电荷储存时序C、及受光部10的第4j行的像素部中的电荷储存时序D。 该图中，电荷储存时序A～D及光信号入射时序为同一周期，电荷储存 时序A～D均是一部分与光信号入射时序重叠。电荷储存时序A～D的 各相位彼此相差1/4周期。

图中以阴影线所示的范围表示电荷储存时序A～D分别与光信号入 射时序重叠的范围，相当于数据D_4j-3，n、D_4j-2，n、D_4j-1，n、D_4j，n的大小。若 闪烁信号到达像素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、P_4j-1，n、P_4j，n，则由于运算部43的运 算结果S不为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号到达的情况。另 一方面，若一定强度的光到达像素部P_4j-3，n、P_4j-2，n、P_4j-1，n、P_4j，n，则由 于运算部43的运算结果S为零，因而检测部40B可检测出闪烁信号未 到达。

特别是在本实施方式中，运算部43的运算结果S并不依赖于光信 号入射时序与电荷储存时序A～D之间的相位差。因此，本实施方式中 可与该相位差无关而进行高灵敏度的闪烁信号检测。

如此，本实施方式所涉及的闪烁信号检测装置3仅具备存储3行 的数据的存储部41₁～41₃即可，无需大容量的存储部。另外，本实施方 式所涉及的闪烁信号检测装置3无需光信号的闪烁图案是已知的，而 可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部。

另外，本发明当然不限定于第1～第3的各实施方式。例如，上述 实施方式中，列举了连接于晶体管T3的栅极端子的扩散区域作为电荷 储存部，但光电二极管也可兼作电荷储存部。

产业上的可利用性

本发明可应用于无需大容量的存储部，无需光信号的闪烁图案是 已知的，而可特定接收光信号那样的闪烁信号的像素部的用途中。