首页> 中国专利> 对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法

对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供了一种对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法，其特征在于，采用含氟气体与H

著录项

公开/公告号CN102456546A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-16

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201010524967.1
发明设计人三重野文健;
展开▼

申请日2010-10-29
分类号H01L21/02;H01L21/336;C23C16/02;C23C16/32;C23C16/42;
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人董巍
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-12-18 05:08:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20120516 申请日:20101029

发明专利申请公布后的驳回
2013-02-06

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20130105 申请日:20101029

专利申请权、专利权的转移
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20101029

实质审查的生效
2012-05-16

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法 [P] . 中国专利： CN102456546A . 2012-05-16
2. 对半导体衬底的表面进行活化的溶液和方法 [P] . 中国专利： CN102482778B . 2014.05.07
3. Selective plasma treatment of semiconductor substrate, as pre-treatment prior to of coating or prior to bonding process useful for semiconductor involves dielectric, e.g. glass mask having surface coated with electrically conductive layer [P] . 德国专利： DE102005042754A1 . 2007-03-29

机译：半导体衬底的选择性等离子体处理，如在涂覆之前或对半导体有用的键合工艺之前的预处理，涉及电介质，例如电介质。表面涂有导电层的玻璃掩膜
4. Method for doping silicon substrate, involves annealing semiconductor substrate to obtain doped zone extending below and on both sides of stud and having approximately homogeneous concentration of doping agents [P] . 法国专利： FR2977072A1 . 2012-12-28

机译：掺杂硅衬底的方法，涉及对半导体衬底进行退火以获得在柱的下方和两侧延伸并具有大致均匀浓度的掺杂剂的掺杂区。
5. Method for manufacturing solar cells, involves providing semiconductor substrate and doping, particularly n-doping by phosphoric acid, where semiconductor substrate is damped for structuring with etchant [P] . 德国专利： DE102008011969A1 . 2009-09-10

机译：用于制造太阳能电池的方法涉及提供半导体衬底和掺杂，特别是通过磷酸进行n掺杂，其中对半导体衬底进行阻尼以利用蚀刻剂进行结构化。