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控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法

摘要

本发明公开了一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法,其中,在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中,具体包括下列步骤:将反应气体通入到排气管道直到其稳定;先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆,形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟;进行介电抗反射薄膜沉积;以及先关反应气体然后再关闭电浆。与已有技术相比,本发明的有益效果在于:先通反应气体再开启电浆,将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量,可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。反之先开启电浆再通反应气体,将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量,可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。

著录项

  • 公开/公告号CN102446753A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110298914.7

  • 发明设计人 陈建维;张旭升;

    申请日2011-09-29

  • 分类号H01L21/314;

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人王敏杰

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-18 05:04:15

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