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一种ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法

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本发明涉及用于太阳能电池的ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法。该ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极是由按照从里到外顺序的ITO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、ZnO纳米棒阵列层、CdSe壳层与CdTe量子点层组成的。通过CdSe和CdTe共敏化技术，使本发明的ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极的饱和光电流密度提高到14.3mA/cm

著录项

公开/公告号CN102437206A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02

原文格式PDF
申请/专利权人湖北大学;
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申请/专利号CN201110421773.3
发明设计人王浩;王甜;王喜娜;刘荣;张军;汪宝元;胡芸霞;
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申请日2011-12-15
分类号H01L31/0224;H01L31/18;
代理机构北京君智知识产权代理事务所;
代理人向华
地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
入库时间 2023-12-18 05:04:15

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