一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法

摘要

本发明公开了一种降低电阻的接触孔形成方法，其通过采用湿法刻蚀去除接触孔上部的钨栓和接触孔阻挡层，降低了钨栓和接触孔阻挡层的高度，并用金属铜和铜阻挡层进行替代，因为金属铜与钨栓相比具有较低的电阻值，因而可以达到有效降低接触孔的接触电阻的目的，进而提高了半导体器件性能，工艺过程简单易控制。