一种聚酰亚胺基底上覆阻挡层的铝垫制造工艺

摘要

本发明涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种聚酰亚胺基底上覆阻挡层的铝垫制造工艺。在已生长有铝层并用聚酰亚胺作为基底的晶片上沉积绝缘阻挡层并使用光刻工艺将原金属区域上方的绝缘阻挡层去除；随后在所得的晶片上方沉积重分布铝层并光刻形成新的铝线和铝垫；然后在所得的晶片上方旋涂第二层聚酰亚胺；最终将形成的铝垫上方的第二层聚酰亚胺去除。本发明提高晶片良率，使晶片的聚酰亚胺层保留完整，降低了分层剥落的可能性，提高了芯片的可封装性能。