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在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制

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摘要

在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制。公开的是生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法和使用该方法生长的晶体。通过熔化包含至少一种稀土元素的第一种物质和熔化包含至少一种元素周期表的第7族的元素的第二种物质来制备熔体。晶种与熔体的表面接触，然后抽拉以生长该晶体。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/00 申请公布日:20120509 申请日:20110930

发明专利申请公布后的驳回
2013-10-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20110930

实质审查的生效
2012-05-09

公开

公开

1. 在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制 [P] . 中国专利： CN102443844A . 2012-05-09
2. 用于氧正硅酸盐材料制造的晶体生长气氛 [P] . 中国专利： CN102477580A . 2012-05-30
3. Suppression Of Crystal Growth Instabilities During Production Of Rare-Earth Oxyorthosilicate Crystals [P] . 美国专利： US2012080645A1 . 2012-04-05

机译：稀土氧硅正硅酸盐晶体生产过程中晶体生长不稳定性的抑制
4. The use of a substance comprising a member of the group consisting of 7 of the periodic table for the suppression of crystal growth instabilities during the production of rare earth - oxyorthosilicate - crystals [P] . 德国专利： DE102011115149B4 . 2016-12-15

机译：包含元素周期表7中的一种物质在稀土-硅氧硅酸盐-晶体生产中抑制晶体生长不稳定性的用途。
5. Suppression of crystal growth instabilities during production of rare-earth oxyorthosilicate crystals [P] . 美国专利： US9175420B2 . 2015-11-03

机译：抑制稀土原硅酸盐晶体生产过程中晶体生长的不稳定性