光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法

摘要

本发明提供了一种光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法。根据本发明的光刻工艺集成量测图形包括：用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种光刻工艺集成 量测图形以及光刻工艺量测方法。

背景技术

半导体制造中每一层工艺都需要量测线条宽度、隔离宽度、通程间距 (through pitch)等。半导体芯片制造中，在光刻定义一层电路后，需要量测一 些图形尺寸来监控光刻工艺是否达标。

具体地说，线条宽度和隔离宽度相加是一个间距(pitch)。如果线条宽度 不变，隔离宽度变大不同的大小，这一系列间距称为通程间距。

但是，在现有技术中，只定义密集线条和隔离线条的量测图形。图1示出 了现有技术中的隔离线条的量测图形。图2示出了现有技术中的密集线条的量 测图形。

因此，在量测水平和/或垂直的隔离线条、隔离沟槽、密集线条、密集沟槽 时，需要在分散的位置找图形量测，从而为多种结构的量测带来了极大的不便， 由此延缓了量测时间和降低了量测效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能 够减少量测时间并提高量测效率的光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方 法。

根据本发明的第一方面，提供了一种光刻工艺集成量测图形，其包括：用 于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平 隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量 测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集 线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂 直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽 量测部分中的多个或全部。

优选地，所述光刻工艺集成量测图形整体使用。

优选地，所述光刻工艺集成量测图形具有HLMC形状。

优选地，上述光刻工艺集成量测图形还包括用于连续量测的多个部分，通 过测量所述多个部分的不同的间距，由此就可以得到光学修正数据，该光学修 正数据作为一组数据使用。

优选地，所述光刻工艺集成量测图形包括用于量测垂直隔离线条的垂直隔 离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、用于量测 垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟 槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、用于量测水平 密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量 测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分的所有部分。

本发明第一方面的光刻工艺集成量测图形涉及了集成多种量测用途的图 形，用来量测各种电路图形，如隔离线条、隔离沟槽、密集线条、密集沟槽， 以及用于光学修正的图形的通程间距。并且，采用集成了各种图形的设计，能 够更好的监控在光刻工艺中对密集线条，沟槽和隔离线条，沟槽以及光学修正 效应好坏的评估。并且，本发明第一方面的集成量测图形包含了多种量测图形， 可以根据需要在这一个综合的形状里量测每种图形，而不像现有技术那样在分 散的位置找图形量测；由此减少量测时间并提高量测效率。

根据本发明的第二方面，提供了一种光刻工艺量测方法，其采用根据本发 明第一方面所述的光刻工艺集成量测图形来测量线条宽度、隔离宽度、通程间 距中的一个或多个。

由于采用了根据本发明第一方面所述的光刻工艺集成量测图形，因此，本 领域技术人员可以理解的是，根据本发明第二方面的光刻工艺量测方法同样能 够实现根据本发明的第一方面的光刻工艺集成量测图形所能实现的有益技术效 果。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整 的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了现有技术中的隔离线条的量测图形。

图2示意性地示出了现有技术中的密集线条的量测图形。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的量测图形。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构 的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或 者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发 明的内容进行详细描述。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的量测图形。图3所示的集成量测 图形作为一个不分割的整体使用。

具体地说，图3所示的集成量测图形包括：能够量测垂直隔离线条的第一 部分1、能够量测垂直水平密集线条和/或水平密集沟槽的第二部分2、能够量 测垂直隔离沟槽的第三部分3、能够量测垂直密集线条和/或垂直密集沟槽的第 四部分4、能够量测水平隔离线条的第五部分5、以及能够量测水平隔离沟槽的 第六部分6。

需要说明的是，图3所示的集成量测图形仅是本发明的一个优选图形示例， 该集成量测图形反映了华力微电子的公司logo---HLMC；即，图3所示的集成量 测图形具有HLMC形状。

实际上，可以进行适当设置，以使得集成量测图形能够量测垂直隔离线条、 水平隔离线条、垂直隔离沟槽、水平隔离沟槽、垂直密集线条、水平密集线条、 垂直密集沟槽、水平密集沟槽中的多个或全部。

因此，相应地，根据本发明实施例的集成量测图形可包括多个部分，例如 用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水 平隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于 量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密 集线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测 垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟 槽量测部分中的多个或全部。在一个优选实施例中，所述光刻工艺集成量测图 形包括上述全部的部分，从而包括所有的可能性。

并且，利用本发明实施例设计的图形，能够量测光学修正的图形通程间距。 具体地说，上述光刻工艺集成量测图形还包括用于连续量测的多个部分(例如 图3所示的多个部分7，8，9，10)，通过测量所述多个部分的不同的间距，由 此就可以得到光学修正数据，该光学修正数据作为一组数据使用。

图3所示的集成量测图形包含了各种量测图形，可以根据需要在这一个综 合的形状里量测每种图形，而不像现有技术那样在分散的位置找图形量测；由 此减少量测时间并提高量测效率。而且，上述光刻工艺集成量测图形涉及了集 成多种量测用途的图形，用来量测各种电路图形，如隔离线条、隔离沟槽、密 集线条、密集沟槽，以及用于光学修正的图形的通程间距。并且，采用集成了 各种图形的设计，能够更好的监控在光刻工艺中对密集线条，沟槽和隔离线条， 沟槽以及光学修正效应好坏的评估。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并 非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技 术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多 可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发 明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、 等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。