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直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法

摘要

本发明公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法,所述护盘压片设于下护盘压片之上,下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡;主保温筒的底部与下保温筒卡接,下保温筒底部与下护盘压片卡接,下护盘压片底部与炉底支撑环卡接;所述外导流筒置于导流筒支撑环上,内导流筒卡在外导流筒上,且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡;本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高,降低了等径功耗,节约了生产成本,提高生产效率;本发明所述八英寸硅单晶的生产工艺方法包括单晶炉清炉、装炉、抽真空,熔化料,熔接,自动引晶、放肩、等径生长及收尾,利用该方法提高了生产效率和产品成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN102367588A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110346991.5

  • 申请日2011-11-07

  • 分类号C30B15/14(20060101);C30B15/20(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人钱成岑;吴彦峰

  • 地址 614200 四川省乐山市峨眉山市符北路88号

  • 入库时间 2023-12-18 04:30:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/14 申请公布日:20120307 申请日:20111107

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-04-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/14 申请日:20111107

    实质审查的生效

  • 2012-03-07

    公开

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