法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-04
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/14 申请公布日:20120307 申请日:20111107
发明专利申请公布后的驳回
2012-04-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/14 申请日:20111107
实质审查的生效
2012-03-07
公开
公开
机译: 用于硅半导体的低氧浓缩硅单晶的制造涉及通过水平磁场型直拉法对原料硅进行硅单晶拉伸
机译: 用于生产碳化硅单晶的坩埚,碳化硅单晶的生产装置以及碳化硅单晶的生产方法
机译: 用于生长硅单晶的石英坩埚,用于生产硅单晶的石英坩埚的生产方法以及用于生产硅单晶的方法