一维基于过剩光载流子的斐波纳契类准周期光子晶体

摘要

本发明公开了一种一维基于过剩光载流子的斐波纳契类准周期光子晶体，包括激发光光源、激光调制器、柱面镜、振镜、与振镜相连的扫描驱动器、半导体硅片；所述激光调制器调制激发光光源后激发光光源发出的圆柱状激发光经柱面镜转换成线状光束再经振镜照射到半导体硅片上，扫描驱动器调节振镜的反射面使线状光束周期性地照射到半导体硅片上；所述激发光光源的光子能量大于半导体的禁带宽度。本发明的晶体结构易于实现，过剩光载流子照射硅片导致折射率发生改变，调整产生过剩光载流子的入射光周期性即形成准周期光子晶体结构。通过调节激发光光源的光强、脉冲间隔可有效控制过剩光载流子的浓度分布，调节准周期光子晶体禁带位置。