具有静电防护的功率晶体管元件与使用该功率晶体管元件的低压差稳压器

摘要

本发明提出一种具有静电防护的功率晶体管元件与使用该功率晶体管元件的低压差稳压器(low dropout regulator，LDO)。其中，具有静电防护的功率晶体管元件包含：P型金属氧化物半导体(P-type metaloxide semiconductor，PMOS)场效晶体管(field effect transistor，FET)，其源极端与漏极端分别电连接于电压输入端与电压输出端；以及静电防护元件，与电压输入端以及电压输出端电连接，并提供静电放电路径，使输出端的静电压可经由此静电放电路径放电，以防护PMOSFET。