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一种基于表面LSPR的分子印记仿生嗅觉Ag纳米线传感器的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于表面LSPR的分子印记仿生嗅觉Ag纳米线传感器的制备方法。一种基于表面LSPR的分子印记仿生嗅觉Ag纳米线传感器的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)铝片的前处理;2)一次阳极氧化;3)化学腐蚀除去表面生成的氧化铝膜;4)二次阳极氧化;5)在铝层表面经过二次阳极氧化的氧化铝模板的前面蒸镀一层金属作为导电电极,用0.5mol/L的CuCl

著录项

  • 公开/公告号CN102320551A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国地质大学(武汉);

    申请/专利号CN201110143697.4

  • 申请日2011-05-31

  • 分类号B81C1/00;

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人唐万荣

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号

  • 入库时间 2023-12-18 04:17:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20120118 申请日:20110531

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-03-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20110531

    实质审查的生效

  • 2012-01-18

    公开

    公开

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