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一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法

摘要

本发明涉及一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法,包括如下步骤:步骤1:制备含铁离子的前驱液薄膜;步骤2:将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干;步骤3:将烘干后的基片放入管式炉的恒温区,进行退火处理;步骤4:制备颗粒尺寸和密度可控的铁催化剂薄膜;步骤5:制备不同长度和形貌的碳纳米管阵列:在管式炉内,升温至一定温度下,通入乙炔和氩气,乙炔气体在含铁催化剂颗粒的薄膜表面分解并析出直立的碳纳米管阵列。本发明的有益效果:实现了我们通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的目的,取得了意想不到的效果,有效的优化了碳纳米管生长的工艺,降低了工业生产的成本。

著录项

  • 公开/公告号CN102249216A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201110155065.X

  • 申请日2011-06-10

  • 分类号C01B31/02;B82Y40/00;

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人周永宏

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-18 03:47:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-16

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20111123 申请日:20110610

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20110610

    实质审查的生效

  • 2011-11-23

    公开

    公开

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