首页> 中国专利> 用于EUV光源的集光器

用于EUV光源的集光器

摘要

揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备,反射表面含第一材料,碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源,该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体;和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构,电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布,对第二材料具有高的溅射概率,而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力,激发机构产生溅射离子材料的离子流入量,从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度,它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼,第二材料为锂,离子材料为氦,系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器,激发机构在点火时刻之间连接反射表面,反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜,通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料,壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热,后者去除锂,前者去除锂化合物,可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H05G2/00 授权公告日:20150114 终止日期:20160407 申请日:20040407

    专利权的终止

  • 2015-06-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H05G2/00 变更前: 变更后: 申请日:20040407

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-01-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H05G2/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20150108 申请日:20040407

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-01-14

    授权

    授权

  • 2015-01-07

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H05G2/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20141222 申请日:20040407

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05G2/00 申请日:20040407

    实质审查的生效

  • 2011-11-23

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号