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一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器

摘要

本发明公布了一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器,属于纳米材料性能和应用领域。特征在于利用光吸收性能优异的一维硅纳米结构阵列的光电化学响应特性实现可见光的探测。器件制备过程及所需设备相对简单,可控性良好,光响应度较高。器件构建过程主要包括:(1)利用金属催化各向异性化学腐蚀法制备一维硅纳米结构阵列;(2)利用磁控溅射或真空蒸镀技术在一维硅纳米结构阵列背面沉积导电层,并进行退火处理形成一维硅纳米结构阵列光电极;(3)以一维硅纳米结构阵列光电极为基础,构建可见光电化学探测器。本发明利用一维硅纳米结构阵列的高光电化学响应特性构建了可见光电化学探测器,拓展了半导体纳米材料的应用领域。

著录项

  • 公开/公告号CN102226715A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201110087934.X

  • 发明设计人 程国安;吴绍龙;郑瑞廷;

    申请日2011-04-08

  • 分类号G01J1/42(20060101);B81B7/04(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

  • 入库时间 2023-12-18 03:34:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2014-03-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J1/42 申请日:20110408

    实质审查的生效

  • 2011-10-26

    公开

    公开

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