一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法。包括如下步骤：步骤1：对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面；步骤2：将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设备的真空腔体中；步骤3：对步骤2中固定好的GaAs基片加热到550℃-600℃之间；步骤4：用激光束蒸发步骤2中固定好的STO靶材，使STO在GaAs基片上沉积，沉积过程中用反射高能电子衍射监测薄膜生长过程，当衍射花样出现典型STO的衍射条纹可得到STO外延薄膜。本发明的有益效果：由于本方法中将GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面，克服了在GaAs基片二元化合物上生长介电氧化物薄膜的困难。