一种具有光电导效应的钯掺杂碳膜/氧化物/半导体材料

摘要

本发明提供了一种具有光电导效应的钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料，是将掺杂原子数含量为0～5％钯的石墨复合靶溅射到厚度为0.5～1.0毫米的带有氧化物的半导体衬底上，形成一层厚度为20～200纳米的薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料。该钯掺杂碳薄膜/氧化物/半导体材料具有光电导效应，而且光电流与光照辐射强度具有很好的线性关系，可以用于制备光电传感器件，在室温下工作，结构简单，成本低，生产工艺简单，成品率高，具有广阔的应用前景。