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一种对半导体器件进行提参建模的方法

摘要

本发明公开了一种对半导体器件进行提参建模的方法,该方法包括:用半导体参数测试仪对半导体器件进行测试,得到该半导体器件的原始数据;用提参软件从该半导体器件的原始数据中提取参数,得到旧模型参数;在得到的旧模型参数中加入宏模型,形成含有未知参数的准新模型;获取新模型参数,将该新模型参数加入到含有未知参数的准新模型中,形成新模型。本发明提供的这种对半导体器件进行提参建模的方法,使用了宏模型,实现了对新加模型参数提取的自动化,从而使得复杂的提参建模变的更加简单和高效。

著录项

  • 公开/公告号CN102214252A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201010145308.7

  • 发明设计人 卜建辉;毕津顺;韩郑生;

    申请日2010-04-09

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-18 03:21:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20111012 申请日:20100409

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20100409

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

    公开

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