公开/公告号CN102214252A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201010145308.7
申请日2010-04-09
分类号G06F17/50;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 03:21:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-04
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20111012 申请日:20100409
发明专利申请公布后的驳回
2011-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20100409
实质审查的生效
2011-10-12
公开
公开
机译: 对半导体器件技术建模的测量建模方法进行过程扰动
机译: 对半导体器件技术建模的测量建模方法进行过程扰动
机译: 耐辐射伪栅极辅助的n-MOSFET以及用于对半导体器件的沟道进行建模的方法和装置