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高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法

摘要

高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法,涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂,难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成,氧化铒占原料总摩尔量的1%~2%。将原料混匀,加热烧得多晶粉体,再加热得熔体,然后提拉生长晶体,再极化处理即可。与掺杂1.5mol%铒同成分铌酸锂晶体相比,本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍,Er

著录项

  • 公开/公告号CN102199789A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201110086805.9

  • 发明设计人 王锐;钱艳楠;邢丽丽;徐衍岭;

    申请日2011-04-07

  • 分类号C30B29/30;C30B15/00;

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-12-18 03:21:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/30 申请公布日:20110928 申请日:20110407

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/30 申请日:20110407

    实质审查的生效

  • 2011-09-28

    公开

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