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利用混合激光投影构图(LPP)和半加成构图(SAP)的同层微电子电路构图

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在某些实施例中，提出了利用混合激光投影构图(LPP)和半加成构图(SAP)的同层微电子电路构图。在这点上，介绍了包括利用LPP对叠层基板表面的第一密度区域进行构图、利用SAP对叠层基板表面的第二密度区域进行构图、以及对叠层基板表面的第一和第二密度区域进行镀覆的一种方法，其中跨过第一和第二密度区域的部件直接耦合。还公开了并要求保护其他实施例。

著录项

公开/公告号CN102171788A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN200980139243.0
发明设计人 J·居泽尔;Y·李;
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申请日2009-10-09
分类号H01L21/027(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2023-12-18 03:17:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-25

授权

授权
2011-10-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20091009

实质审查的生效
2011-08-31

公开

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外文文献

1. 利用混合激光投影构图(LPP)和半加成构图(SAP)的同层微电子电路构图 [P] . 中国专利： CN102171788B . 2014.06.25
2. 利用混合激光投影构图(LPP)和半加成构图(SAP)的同层微电子电路构图 [P] . 中国专利： CN102171788A . 2011-08-31
3. Same layer microelectronic circuit patterning using hybrid laser projection patterning (LPP) and semi-additive patterning(SAP) [P] . 美国专利： US9113547B2 . 2015-08-18

机译：使用混合激光投影图案（LPP）和半添加图案（SAP）的同一层微电子电路图案
4. Same-layer microelectronic circuit patterning using complex laser projection patterning (LPP) and semi-additive patterning (SAP) [P] . 日本专利： JP5485284B2 . 2014-05-07

机译：使用复杂激光投影图案（LPP）和半添加图案（SAP）的同层微电子电路图案
5. Same-layer microelectronic circuit patterning using complex laser projection patterning (LPP) and semi-additive patterning (SAP) [P] . 日本专利： JP2012507043A . 2012-03-22

机译：使用复杂激光投影图案（LPP）和半添加图案（SAP）的同层微电子电路图案