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多晶硅太阳电池减反射膜制备方法及多晶硅太阳电池

摘要

本发明提供了一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法和一种多晶硅太阳电池,所述方法包括:钝化层淀积步骤和密度层淀积步骤。所述多晶硅太阳电池包括:多晶硅片;位于多晶硅片表面上的减反射膜;所述减反射膜的材质为氮化硅,包括钝化层和密度层;所述钝化层设置在所述多晶硅片表面上,所述密度层设置在所述钝化层表面上。本发明提供的技术方案中,减反射膜中的钝化层能够有效的钝化硅片表面和基体,并减少多晶硅材料表面中的位错和晶界等缺陷,提高多晶硅材料载流子寿命,形成的减反射膜能够有效提高多晶硅太阳电池的光电转换效率,增大电池片的最大功率。

著录项

  • 公开/公告号CN102185006A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江阴浚鑫科技有限公司;

    申请/专利号CN201010540952.4

  • 申请日2010-11-11

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0216(20060101);H01L31/04(20060101);C23C16/34(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人逯长明

  • 地址 214443 江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号

  • 入库时间 2023-12-18 03:13:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-12

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20110914 申请日:20101111

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20101111

    实质审查的生效

  • 2011-09-14

    公开

    公开

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