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一种基于微晶硅的TFT有源矩阵制造工艺

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摘要

本发明采用的一种基于微晶硅的TFT有源矩阵制造工艺，使用微晶硅作为TFT有源矩阵的有源层材料，其制作工艺与非晶硅制作工艺相近，但是迁移率可达到2~10cm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-20

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/77 申请公布日:20110914 申请日:20110418

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-11-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/77 申请日:20110418

实质审查的生效
2011-09-14

公开

公开

1. 一种基于微晶硅的TFT有源矩阵制造工艺 [P] . 中国专利： CN102184893A . 2011-09-14
2. TFT矩阵基底以及有源矩阵寻址液晶显示器件 [P] . 中国专利： CN100409087C . 2008.08.06
3. Thin film transistor (TFT), active-matrix substrate, the manufacturing method of active-matrix substrate and thin film transistor (TFT) manufacturing method [P] . 日本专利： JP6494184B2 . 2019-04-03

机译：薄膜晶体管（TFT），有源矩阵基板，有源矩阵基板的制造方法以及薄膜晶体管（TFT）的制造方法
4. TFT fabrication process for transistor used in active matrix LCD - involves attaching conducting layer selectively to drain and source as basis for growth of further semiconductor layers [P] . 法国专利： FR2698210A1 . 1994-05-20

机译：用于有源矩阵LCD的晶体管的TFT制造工艺-涉及将导电层选择性地附着到漏极和源极，作为进一步生长半导体层的基础
5. Active matrix display fabrication method, especially for a TFT display, in which an active zone mask is used to produce the display and is used in successive steps with non-zero exposure overlap zones [P] . 法国专利： FR2843462A1 . 2004-02-13

机译：有源矩阵显示器的制造方法，特别是用于TFT显示器的有源矩阵显示器的制造方法，其中有源区掩模用于生产显示器，并在具有非零曝光重叠区的连续步骤中使用