公开/公告号CN102163158A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京凡达讯科技有限公司;
申请/专利号CN201110111172.2
发明设计人 陆伟;
申请日2011-04-29
分类号G06F9/445;
代理机构北京亿腾知识产权代理事务所;
代理人陈霁
地址 100085 北京市海淀区上地信息路12号A区313室
入库时间 2023-12-18 03:08:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-05
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F9/445 申请公布日:20110824 申请日:20110429
发明专利申请公布后的驳回
2014-01-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):G06F9/445 变更前: 变更后: 登记生效日:20131231 申请日:20110429
专利申请权、专利权的转移
2013-12-25
文件的公告送达 IPC(主分类):G06F9/445 收件人:朱武 文件名称:视为未提出通知书 申请日:20110429
文件的公告送达
2011-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F9/445 申请日:20110429
实质审查的生效
2011-08-24
公开
公开
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: NAND闪存芯片的访问方法及相应的NAND闪存芯片
机译: 一种使用NAND闪存记忆和启动嵌入式系统的处理方法