双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺

摘要

本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下：1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD镀SiNx；3、背面PECVD镀双层SiNx；4、制作电极；5、烧结。在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点：1.SiNx带正电荷，用其做背钝化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2.IQE长波响应可以得到提高。