多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件

摘要

本发明公开了一种多量子阱结构、包含所述多量子阱结构的发光二极管、以及包含所述发光二极管的发光二极管封装件，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于势垒层的能量带隙，所述多个有源层之间的能量带隙各不相同，并且，多个有源层的能量带隙逐渐减小或增加，多个势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，可更加有效地防止载流子逃逸，提高电子和空穴的复合机率，进而提高发光二极管的内量子效率。