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从坩埚中所含的熔体拉伸由硅组成的单晶的方法及由此制得的单晶

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本发明涉及用于从坩埚4中所含的熔体11拉伸由硅组成的单晶9的方法，其中单晶9在拉伸期间被挡热板2包围，挡热板的下端3与熔体11的表面具有距离h，气体在单晶9与挡热板2之间的区域内向下流动10，在挡热板2的下端3与熔体11之间向外流动，及接着在挡热板2以外的区域内又向上流动，其特征在于，挡热板2在其下端3的内径D

著录项

公开/公告号CN102146583A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-10

原文格式PDF
申请/专利权人硅电子股份公司;
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申请/专利号CN201110037562.X
发明设计人 E·格梅尔鲍尔;R·沃布赫纳;M·韦伯;
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申请日2011-02-10
分类号C30B15/00;C30B29/06;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人过晓东
地址德国慕尼黑
入库时间 2023-12-18 02:56:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-20

授权

授权
2011-09-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20110210

实质审查的生效
2011-08-10

公开

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中文文献
外文文献

1. 从坩埚中所含的熔体拉伸由硅组成的单晶的方法及由此制得的单晶 [P] . 中国专利： CN102146583B . 2014.08.20
2. 从坩埚中所含的熔体拉伸由硅组成的单晶的方法及由此制得的单晶 [P] . 中国专利： CN102146583A . 2011-08-10
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