包含要求金属层与衬底之间的电压阈值的工艺的用于制造集成电子电路的工艺

摘要

本发明涉及一种用于制造包括多层互连堆叠的电子集成电路的工艺。通过需要产生跨接近旁的基本互连线(36)和衬底的局部电压的工艺来形成诸如MIM电容器之类的结构(26)。提供了与基本互连线(36)交叉的第二互连路径(42)，在已经形成所述结构(26)之后去除基本互连线，从而在基本互连线(36)中产生开路。因此，提高了电路的性能。