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获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法

摘要

本发明公开了一种获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法,在硅衬底或硅外延层上沉积第一硬掩膜;在第一硬掩膜上沉积第二硬掩膜;在需要形成沟槽的地方把两层硬掩膜去除;用干法刻蚀在硅衬底或硅外延层中形成沟槽;用湿法刻蚀对第一硬掩膜进行刻蚀,从所述沟槽口处向两侧横向刻蚀掉部分位于硅衬底或硅外延层与第二层硬掩膜之间的第一层硬掩膜;用湿法或干法刻蚀剥离掉所述第二硬掩膜;用卤化氢气体对所述沟槽进行再刻蚀,使沟槽侧壁形成一定的倾斜度;用湿法或干法刻蚀去除第一硬掩膜。本发明能够有效改变深沟槽的倾斜度,降低沟槽填充的难度。

著录项

  • 公开/公告号CN102082110A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN200910201869.1

  • 发明设计人 刘继全;

    申请日2009-11-26

  • 分类号H01L21/762;

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2023-12-18 02:43:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-18

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20110601 申请日:20091126

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20091126

    实质审查的生效

  • 2011-06-01

    公开

    公开

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