一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法

摘要

一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法。本发明的核心内容是采用碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％的摩尔百分比，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入坩埚，坩埚上面盖上一层环状白金片，然后放入自制的熔盐炉中生长。本发明解决了三硼酸铯生长过程严重挥发问题，从而生长得到优质晶体。