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金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板

摘要

本发明公开一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组,在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。本发明还公开了上述微加热板的制造工艺。本发明将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层,降低了制造复杂度,提高了成品率;在传感器工作区域的下方设计并制造出一个硅岛结构以传导加热电极所产生的热量,使得工作区域得到均匀的温度分布。

著录项

  • 公开/公告号CN102070118A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工业大学;

    申请/专利号CN201010518328.4

  • 申请日2010-10-26

  • 分类号B81B7/00(20060101);B81C1/00(20060101);G01N27/14(20060101);

  • 代理机构32237 江苏圣典律师事务所;

  • 代理人黄振华

  • 地址 210009 江苏省南京市鼓楼区中山北路200号

  • 入库时间 2023-12-18 02:34:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81B7/00 申请公布日:20110525 申请日:20101026

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20101026

    实质审查的生效

  • 2011-05-25

    公开

    公开

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