一种具有多层栅极结构的高压器件及其制造方法

摘要

本发明提出了具有多层栅极结构的高压器件及其制造方法，该高压器件至少包括：下层多晶硅，上层多晶硅和在它们之间的氧化物-氮化物-氧化物叠层，以及在上层多晶硅上的阻挡层。由于在蚀刻时阻挡层与多晶硅之间具有高的选择比，因而能够防止上层多晶硅上方光阻变薄而导致上层多晶硅被破坏的现象。同时形成的阻挡层还能够在高压器件区域作为衬垫(spacer)，可以在一定程度上改善高压器件的击穿性能。