降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体硅多晶铸锭生产的技术领域，尤其是一种降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法：其降低铸锭多晶体内应力缺陷的方法采取的冷却方式为自多晶铸锭的上部开始冷却。本发明改善了铸锭多晶的冷却过程，使得结晶过程的应力得以有效释放，减少晶体内滑移位错等晶体缺陷，提高电池的转化效率，提高硅片制程的成品率。