Gallium Arsenides; Annealing; Defects; Epitaxy; Nucleation; Silicon; Substrates; Superlattices; Thermal Conductivity; Thermal Cycling; EDB/360102; EDB/360101; EDB/420800; EDB/140000; Crystal defects;
机译:球形中心缺陷InGaAs / AlGaAs量子点(SCDQD)中载流子密度和势能的时变分析
机译:使用超级电池方法进行缺陷形成能量的密度函数计算:金刚石中的缺陷
机译:用密度泛函理论方法确定GaAs / GaAsN界面的带偏移
机译:在低剂量SIMOX中减少植入剂量期间导致缺陷密度增加的缺陷形成机理
机译:硅上异质外延的锗中少数载流子寿命与缺陷密度分布的经验相关性。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:GaAs对Si的杂肝:降低脱晶缺陷密度的方法
机译:si上Gaas的异质外延:降低外延层中缺陷密度的方法。