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增强型线性梯度掺杂的GaAs平面耿氏二极管及其制作方法

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本发明公开了一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，包括：用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N

著录项

公开/公告号CN102074651A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200910238762.4
发明设计人黄杰;杨浩;董军荣;吴茹菲;张海英;
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申请日2009-11-24
分类号H01L47/02;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 02:26:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L47/02 申请公布日:20110525 申请日:20091124

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-07-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L47/02 申请日:20091124

实质审查的生效
2011-05-25

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