公开/公告号CN102047420A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;
申请/专利号CN200980119575.2
发明设计人 比什-因·阮;
申请日2009-05-18
分类号H01L27/04;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李辉
地址 法国伯涅尼
入库时间 2023-12-18 02:13:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/04 申请公布日:20110504 申请日:20090518
发明专利申请公布后的驳回
2011-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/04 申请日:20090518
实质审查的生效
2011-05-04
公开
公开
机译: 在用作DRAM组件的半导体衬底的表面中制造不同导电类型的晶体管的步骤包括:在衬底上形成掺杂有第一导电类型的栅电极层,并进行进一步处理
机译: 形成用于运动场的运动表面的衬底的方法,这种衬底以及具有这种衬底的运动场
机译: 形成用于运动场的运动表面的衬底的方法,这种衬底以及具有这种衬底的运动场