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包含不同类型表面的衬底及获得这种衬底的方法

摘要

具有较大晶体缺陷密度的支撑体、设置在支撑体的正面的第一区上的绝缘层以及设置在绝缘层上的表面层。可以至少在支撑体的正面的第二区上设置附加层,该附加层具有足以掩埋支撑体的晶体缺陷的厚度。衬底还可以包括在支撑体和绝缘层之间至少布置在支撑体的正面的第一区上的外延层。制造该衬底的方法包括以下步骤:在表面层的第一区上形成掩膜层;和去除未被掩膜层覆盖的第二区中的表面层和绝缘层。在第二区中形成附加层并接着将其平坦化。

著录项

  • 公开/公告号CN102047420A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;

    申请/专利号CN200980119575.2

  • 发明设计人 比什-因·阮;

    申请日2009-05-18

  • 分类号H01L27/04;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 法国伯涅尼

  • 入库时间 2023-12-18 02:13:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-07

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/04 申请公布日:20110504 申请日:20090518

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/04 申请日:20090518

    实质审查的生效

  • 2011-05-04

    公开

    公开

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