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利用氟化碳纳米管的电子器件

摘要

本发明涉及电子器件和该电子器件的制备方法,其中所述半导体组件包括至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管。用氟化烯烃进行官能化使碳纳米管成为半导电的。

著录项

  • 公开/公告号CN101983440A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳幕尔杜邦公司;

    申请/专利号CN200980111723.6

  • 发明设计人 G·B·布兰歇;H·S·M·卢;

    申请日2009-04-01

  • 分类号H01L51/30;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人孟慧岚

  • 地址 美国特拉华州

  • 入库时间 2023-12-18 02:00:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L51/30 申请公布日:20110302 申请日:20090401

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-04-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/30 申请日:20090401

    实质审查的生效

  • 2011-03-02

    公开

    公开

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