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基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源

摘要

基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于该电源包括启动电路(1),一阶温度补偿基准电压产生电路(2),第一误差放大器(3)及高阶温度补偿基准电压产生电路(4),高阶温度补偿电流产生电路(5),调节模块电路(6);高阶温度补偿电流产生电路(5)的直流电输入端分别连接直流电源Vcc;高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输出端同时与启动电路(1)的第二输入端和第一误差放大器(3)的第三输入端相连;高阶温度补偿基准电压产生电路(4)的输出端就是一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端,与高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输入端相连。

著录项

  • 公开/公告号CN101901020A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201010200378.8

  • 申请日2010-06-13

  • 分类号G05F3/30;

  • 代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;

  • 代理人汤志武

  • 地址 214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号

  • 入库时间 2023-12-18 01:13:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-09-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05F3/30 申请公布日:20101201 申请日:20100613

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/30 申请日:20100613

    实质审查的生效

  • 2010-12-01

    公开

    公开

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