一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

陈碧; 罗岚; 周帅林

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一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

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阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现.基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12·10-6/℃.在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源.

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来源
《电子器件》|2004年第1期|79-82|共4页
作者
陈碧; 罗岚; 周帅林;
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作者单位

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018;

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018;

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210018;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
带隙参考电压源; 温度补偿; 电源抑制比;

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