半透过式液晶显示器、透明基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半透过式液晶显示器、透明基板及其制造方法。该半透过式液晶显示器的阵列基板在光透过区域和光反射区域内具有不同的厚度、彩膜基板在光透过区域和光反射区域内具有不同的厚度或彩膜基板和阵列基板在光透过区域和光反射区域内分别具有不同的厚度，使得液晶层在光透过区域内的厚度为(n+1)λ/2，在光反射区域内的厚度为(2m+1)λ/4，其中n和m为0或正整数。本发明能够提高半透过式液晶显示器的显示性能，并减少制造工艺中掩膜板的使用数，简化工艺，降低成本。

说明书

技术领域

本发明涉及半透过式液晶显示器、透明基板及其制造方法，尤其是涉及能够简化结构及工艺步骤的半透过式液晶显示器和透明基板、彩膜基板、阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示器分为垂直电场型液晶显示器和水平电场型液晶显示器。垂直电场型液晶显示器包括：扭曲向列(TwistNematic，简称为TN)型液晶显示器；水平电场型液晶显示器包括：边界电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型液晶显示器，共平面切换(In-Plane Switching，简称为IPS)型液晶显示器。

其中，垂直电场型液晶显示器需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型液晶显示器需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。因此，制作水平电场型液晶显示器的阵列基板时，需要额外增加一次形成公共电极的掩模工艺。

根据液晶显示器的显示方式，液晶显示器分为透过式液晶显示器、半透过式液晶显示器和反射式液晶显示器。其中，透过式液晶显示器通过透射从背光源照射出来的亮光显示画面；半透过式液晶显示器通过透射从背光源照射出来的亮光和反射从外部照射进来的亮光显示画面；反射式液晶显示器通过反射从外部照射进来的亮光显示画面。

其中，反射式液晶显示器的阵列基板，通过反射金属形成像素电极；透过式液晶显示器的阵列基板，通过透明导电物质形成像素电极。

下面详细说明现有的半透过式液晶显示器。

图1为现有的半透过式液晶显示器的剖面图。如图1所示，半透过式液晶显示器包括：彩膜基板、阵列基板以及液晶层。彩膜基板和阵列基板上分别形成取向膜，然后进行对盒工艺并注入液晶，形成液晶层40。半透过式液晶显示器按功能可划分为多个像素区域，每个像素区域包括开口区域1和非开口区域2，开口区域1可再分成光反射区域11和光透过区域12。

彩膜基板包括透明基板20以及彩色树脂22，还可以形成有黑矩阵21。另外，在TN型和VA型液晶显示器的彩膜基板上还形成有公共电极(未图示)。彩色树脂22包括红绿蓝三色的树脂。三种颜色的彩色树脂22和黑矩阵21交替形成在彩膜基板上。

阵列基板包括透明基板30、信号线(未图示)、TFT像素电极38、树脂层50以及反射金属层60。信号线包括栅线和数据线，FFS型和IPS型液晶显示器的阵列基板上还形成有公共电极线。TFT是有缘开关元件，其包括：栅电极31、栅绝缘层32、半导体层33、掺杂半导体层34、源电极35、漏电极36以及钝化层37。其中，栅电极31与栅线连接，源电极35与数据线连接，漏电极36与像素电极38通过钝化层过孔连接。

阵列基板的工作原理如下：当栅线上通过导通信号时，栅电极31使得有源层(半导体层33和掺杂半导体层34)导电，使数据线的数据信号经源电极35通过形成于有源层上的TFT沟道，输入至漏电极，再经钝化层过孔输入至像素电极38，此时，像素电极38与公共电极(与公共电极线连接)根据数据信号形成用于驱动液晶旋转的电场。

半透过式液晶显示器的阵列基板上的光反射区域11内还需要形成树脂层50及反射金属层60。

现有的半透过式液晶显示器的阵列基板的制造方法如下：

步骤1、利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上制备一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第一掩膜板(栅极掩模板)通过构图工艺在基板的开口区域形成栅电极和栅线图形，该过程中还可以同时形成公共电极线图形。

步骤2、利用化学汽相沉积方法，在整个基板上连续沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，栅绝缘层薄膜材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或铝的氧化物等，用第二掩膜板(有源层掩模板)通过构图工艺在开口区域的栅电极上形成有源层图形。

步骤3、利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上沉积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第三掩膜板(源漏极掩模板)通过构图工艺在非开口区域形成源电极、漏电极和数据线图形，并在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形。

步骤4、利用化学汽相沉积方法，在整个基板上沉积一层钝化层薄膜，钝化层薄膜的材料通常是氮化硅，用第四掩膜板(钝化层掩模板)通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔。

步骤5、利用磁控溅射或热蒸发方法，在基板上沉积一层像素电极层薄膜，像素电极层薄膜的材料通常为氧化铟锡等，用第五掩膜板(像素电极掩模板)通过构图工艺在开口区域形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

步骤6、利用化学汽相沉积，在基板上沉积一层透明薄膜，通过摩擦工艺形成取向膜。

步骤7、利用化学汽相沉积，在基板上沉积一层树脂层，用第六掩膜板(树脂层掩膜板)通过构图工艺形成树脂层图形，并形成压花。

步骤8，利用磁控溅射或热蒸发方法，沉积一层反射金属薄膜，反射金属的材料通常为铝等，用第七掩膜板(反射金属层掩膜板)通过构图工艺形成反射金属层图形。

如何减少掩膜板的使用数目，是业内制造工艺中节省成本的主要手段。公开的技术有将上述第二掩膜板和第三掩膜板用一个双调掩膜板代替的方法。具体为：依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，用双调掩模板形成TFT沟道、源/漏电极和数据线。

还有就是用一块双调掩膜板代替第四及第五掩膜板的方法。具体为沉积钝化层，用一块双调掩模板形成过孔，对残留的光刻胶进行灰化，并沉积像素电极薄膜，在剥离(lift off)残留的光刻胶之后形成像素电极。

现有的半透过式液晶显示器与普通的透过式液晶显示器的区别在于：阵列基板上的光反射区域内形成的树脂层及反射金属层。设置这种树脂层及反射金属层的目的在于，消除光透过区域的出射光和光反射区域的出射光的相位差，这也是半透过式液晶显示器显示图像的基本要求，不能满足时则不能正常显示图像。

光透过区域的出射光和光反射区域的出射光的相位差产生原因如下：光反射区域的入射光需要经过两次液晶层后方可射出，但是光透射区域的入射光仅需经过一次液晶层即可射出，当没有突出设置于阵列基板上的树脂层时，由于液晶层厚度均匀，因此不可避免要产生相位差。

现有技术中，除了如图1所示的通过设置突出的树脂层来达到改变液晶层厚度以解决形成相位差的问题的技术方案之外，还有通过在阵列基板上设置补偿胶片的方案。补偿胶片需要补偿(2n+1)λ/4程度的相位差，其中n为0或正整数，λ为光的波长。但是，补偿胶片的设计难度高，成本较高。

对于如图1所示的形成树脂层和反射金属层的技术方案而言，也存在如下缺点：

1、这种形成于阵列基板上方的树脂层和反射金属层，由于突出的较高，会影响液晶分子的取向，导致液晶排列不均匀而发生漏光影响显示性能。

2、制造工艺上，与一般的透过式液晶显示器的制造相比需要多进行形成树脂层的步骤和形成反射层的步骤，需要多采用两块掩膜板，不仅工艺耗时更长，且成本很高。

发明内容

本发明的目的是提供一种半透过式液晶显示器、透明基板及其制造方法，能够提高显示性能，并减少掩膜板的使用数，简化工艺，降低成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种半透过式液晶显示器，其包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，所述阵列基板在所述光透过区域和所述光反射区域内具有不同的厚度、所述彩膜基板在所述光透过区域和所述光反射区域内具有不同的厚度或所述彩膜基板和阵列基板在所述光透过区域和所述光反射区域内分别具有不同的厚度，使得液晶层在光透过区域和光反射区域内的厚度满足公式一及公式二；

公式一：d_T＝(n+1)λ/2，d_T为液晶层在所述光透过区域内的厚度，n为0或正整数；

公式二：d_F＝(2m+1)λ/4，d_F为液晶层在所述光反射区域内的厚度，m为0或正整数。

为实现上述目的，本发明还提供了一种用于半透过式液晶显示器的透明基板，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，所述透明基板在所述光透过区域和所述光反射区域内具有不同的厚度，厚度之差为(2n+1)λ/4，n为0或正整数。

为实现上述目的，本发明还提供了一种用于半透过式液晶显示器的透明基板的制造方法，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，包括：

步骤1：提供具有平坦的表面的透明基板；

步骤2：对所述透明基板的部分所述表面进行刻蚀，其中刻蚀的区域对应于所述光透过区域或所述光反射区域。

为实现上述目的，本发明还提供了一种用于半透过式液晶显示器的彩膜基板的制造方法，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，包括：

步骤1：提供具有平坦的表面的透明基板；

步骤2：对所述透明基板的部分所述表面进行刻蚀，形成深度为(2n+1)λ/4的凹槽，其中n为0或正整数，其中所述凹槽对应于所述光透过区域或所述光反射区域；

步骤3：在所述表面上形成彩色树脂。

为实现上述目的，本发明还提供了一种用于半透过式液晶显示器的阵列基板的制造方法，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，包括：

步骤1：提供具有平坦的表面的透明基板；

步骤2：对所述透明基板的部分所述表面进行刻蚀，形成深度为(2n+1)λ/4的凹槽，其中n为0或正整数，其中所述凹槽对应于所述光透过区域或所述光反射区域；

步骤3：在所述表面上形成信号线、反射金属层、TFT及像素电极图形。

由上述技术方案可知，本发明半透过式液晶显示器的液晶面板及其制造方法，通过改变阵列基板和/或彩膜基板在光反射区域和光透射区域内的厚度，使得液晶层在光透过区域内的厚度为(n+1)λ/2，n为0或正整数，在光反射区域内的厚度为(2m+1)λ/4，m为0或正整数，由此消除了光透过区域的出射光和光反射区域的出射光的相位差，并且相比现有技术，不需要突出形成在阵列基板上的树脂层和反射金属层或补偿胶片，简化了结构，并消除了如现有技术中突出形成的树脂层和反射金属层带来的对显示性能的影响。

附图说明

图1为现有的半透过式液晶显示器的剖面图；

图2为本发明半透过式液晶显示器第一实施例的剖面图；

图3为本发明半透过式液晶显示器第二实施例的剖面图；

图4为用于本发明半透过式液晶显示器的透明基板一实施例的剖面图；

图5为用于本发明液晶显示的透明基板的制造方法的流程图。

具体实施方式

本发明的半透过式液晶显示器，其包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层，该半透过式液晶显示器划分为多个像素区域，每个像素区域包括光透过区域和光反射区域，所述阵列基板在所述光透过区域和所述光反射区域内具有不同的厚度、所述彩膜基板在所述光透过区域和所述光反射区域内具有不同的厚度或所述彩膜基板和阵列基板在所述光透过区域和所述光反射区域内分别具有不同的厚度，使得液晶层在光透过区域和光反射区域内的厚度满足公式一及公式二；公式一：d_T＝(n+1)λ/2，d_T为液晶层在所述光透过区域内的厚度，n为0或正整数；公式二：d_F＝(2m+1)λ/4，d_F为液晶层在所述光反射区域内的厚度，m为0或正整数。由此，消除了光透过区域的出射光和光反射区域的出射光的相位差，并且相比现有技术，不需要突出形成在阵列基板上的树脂层和反射金属层或补偿胶片，简化了结构，并杜绝了现有技术中突出形成的树脂层和反射金属层带来的对显示性能的影响。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图2为本发明半透过式液晶显示器第一实施例的剖面图。如图2所示，本实施例的半透过式液晶显示器按功能可划分为多个像素区域，每个像素区域包括开口区域1’和非开口区域2’，开口区域1’可再分成光反射区域11’和光透过区域12’。开口区域1’为可正常显示图像的区域。非开口区域2’为不能够正常显示图像，因此被彩膜基板上的黑矩阵21’挡住的区域。光透过区域12’为根据背光模组(未图示)中发出的光线来显示图像的区域。光反射区域11’为通过反射外部入射的光线来显示图像的区域。

阵列基板包括透明基板30’、信号线(未图示)、反射金属层60’、TFT以及像素电极38’。信号线包括：栅线以及数据线，或栅线、数据线以及公共电极线。信号线和TFT形成在非开口区域2’内的透明基板30’上，像素电极38’设置在开口区域1’内的透明基板30’上。阵列基板上还形成有覆盖整个透明基板30’的透明的栅绝缘层及钝化层。光反射区域11’内的阵列基板上还设有用于反射光线的反射金属层60’。本实施例中，反射金属层60’与数据线、源电极35’及漏电极36’同层设置。本发明中将制造工艺中同时形成图形(pattern)的元件，称之为相互同层设置。反射金属层60’也可以与栅电极31’及栅线同层设置。还可以将反射金属层60’形成在透明基板30’内。

TFT是有缘开关元件，其包括：栅电极31’、栅绝缘层32’、半导体层33’、掺杂半导体层34’、源电极35’、漏电极36’以及钝化层37’。其中，栅电极31’与栅线连接，源电极35’与数据线连接，漏电极36’与像素电极38’通过钝化层过孔连接。本发明的TFT结构与现有技术中相同，故不再赘述。

彩膜基板包括透明基板20’以及彩色树脂22’，还可以包括黑矩阵21’。彩色树脂22’包括红绿蓝三色树脂。三种颜色的彩色树脂22’和黑矩阵21’交替形成在透明基板20’上。黑矩阵21’形成在非开口区域2’内的透明基板20’上，彩色树脂22’形成在开口区域内1’的透明基板20’上。

彩膜基板的透明基板20’在所述光透过区域12’和所述光反射区域11’内具有不同的厚度。本实施例中，在光透射区域12’内形成了凹槽100。

本实施例中，通过在彩膜基板的透明基板的光透过区域内形成凹槽100，使透明基板的厚度在光透过区域大于光反射区域，改变了彩膜基板在光透过区域和光反射区域内的厚度，使得彩膜基板和阵列基板对盒后形成的液晶层40’的厚度在光透过区域内为(n+1)λ/2，在光反射区域内为(2m+1)λ/4，其中n和m为0或正整数。如此，可以对光反射区域的出射光进行补偿，使得光透过区域和光反射区域的出射光的相位差为0，满足半透过式液晶显示器的显示需要。

另外，也可以在彩膜基板的透明基板的光反射区域内形成凹槽，使透明基板的厚度在光透过区域小于光反射区域。只要能够满足对盒彩膜基板和阵列基板形成的液晶层的厚度在光透过区域内为(n+1)λ/2，在光反射区域内为(2m+1)λ/4(n和m为0或正整数)即可，无需特殊限定凹槽的形成区域。

本实施例中，由于在透明基板上形成了凹槽，因此相比现有技术可以减小液晶面板的厚度，该减小程度与凹槽的厚度相同，利于液晶显示器的轻薄化发展趋势。

图3为本发明半透过式液晶显示器第二实施例的剖面图。如图3所示，本实施例与第一实施例的区别在于凹槽的设置位置不同。本实施例的半透过式液晶显示器按功能可划分为多个像素区域，每个像素区域包括开口区域1”和非开口区域2”，开口区域1”可再分成光反射区域11”和光透过区域12”。

彩膜基板包括透明基板20”以及彩色树脂22”，还可以包括黑矩阵21”。彩色树脂22”包括红绿蓝三色树脂。三种颜色的彩色树脂22”和黑矩阵21”交替形成在透明基板20”上。黑矩阵21”形成在非开口区域2”内的透明基板20”上，彩色树脂22”形成在开口区域内1”的透明基板20”上。

阵列基板包括透明基板30”、信号线(未图示)、反射金属层60”、TFT以及像素电极38”。信号线包括：栅线以及数据线，或栅线、数据线以及公共电极线。信号线和TFT形成在非开口区域2”内的透明基板30”上，像素电极38”设置在开口区域1”内的透明基板30”上。阵列基板上还形成有覆盖整个透明基板30”的透明的栅绝缘层及钝化层。光反射区域11”内的阵列基板上还设有用于反射光线的反射金属层60”。本实施例中，反射金属层60”与数据线、源电极35”及漏电极36”同层设置。反射金属层60”也可以与栅电极31”及栅线同层设置。还可以将反射金属层60”形成在透明基板30”内。

TFT是有缘开关元件，其包括：栅电极31”、栅绝缘层32”、半导体层33”、掺杂半导体层34”、源电极35”、漏电极36”以及钝化层37”。其中，栅电极31”与栅线连接，源电极35”与数据线连接，漏电极36”与像素电极38”通过钝化层过孔连接。本发明的TFT结构与现有技术中相同，故不再赘述。

阵列基板的透明基板30”上形成了凹槽100’，使得阵列基板的透明基板30”在所述光透过区域12”和所述光反射区域11”内具有不同的厚度，满足了彩膜基板和阵列基板对盒后形成的液晶层40”的厚度在光透过区域内为(n+1)λ/2，在光反射区域内为(2m+1)λ/4，其中n和m为0或正整数。

本实施例中在光透射区域12”内设置了凹槽100’，使光透射区域12”内的液晶层的厚度大于光反射区域11”。

当然，也可以在光反射区域11”内形成凹槽100’，使光透射区域12”内的液晶层的厚度小于光反射区域11”，只要满足液晶层的厚度在光透过区域内为(n+1)λ/2，在光反射区域内为(2m+1)λ/4即可。其中n和m为0或正整数。

值得一提的是，也可以同时对阵列基板和彩膜基板的透明基板进行设计，使得满足上述要求。具体地，可以在阵列基板和彩膜基板皆设置凹槽，来满足上述液晶层厚度的要求。

图4为用于本发明半透过式液晶显示器的透明基板一实施例的剖面图。本发明的透明基板可用于阵列基板或彩膜基板，在光反射区域或光透射区域内具有不同的厚度，厚度差为(2n+1)λ/4，其中n为0或正整数。本实施例中，在透明基板上形成了深度为(2n+1)λ/4的凹槽100”。

下面详细介绍用于本发明液晶显示的透明基板的制造方法。

图5为用于本发明液晶显示的透明基板的制造方法的流程图。如图5所示，用于本发明液晶显示的透明基板的制造方法包括如下步骤：

步骤1：提供具有平坦的表面的透明基板；

步骤2：对所述透明基板的部分所述表面进行刻蚀，其中刻蚀的区域对应于光透过区域或光反射区域。

上述步骤2具体为：

步骤21、在具有平坦的表面的透明基板的该表面上涂覆一层光刻胶；

步骤22、通过预先设计好的掩膜板进行曝光和显影处理，光刻胶形成曝光区域及未曝光区域，其中曝光区域对应于光反射区域或光透射区域；

步骤23、进行刻蚀，去掉曝光区域的透明基板，刻蚀的深度为(2n+1)λ/4，n为0或正整数，且小于透明基板的厚度；

步骤24、剥离剩余光刻胶。

本发明半透过式液晶显示第二实施例的的阵列基板的制造方法为：在形成本发明的透明基板后，形成信号线、反射金属层、TFT以及像素电极等元件即可。

制造本发明半透过式液晶显示第二实施例的阵列基板的制造方法的第一实施例，具体如下：

步骤31、形成本发明的透明基板；

步骤32、利用磁控溅射或热蒸发方法，在透明基板上制备一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第一掩膜板(栅极掩模板)通过构图工艺在基板的开口区域形成栅电极和栅线图形，该过程中还可以同时形成公共电极线图形。

步骤33、利用化学汽相沉积方法，在完成步骤32的整个透明基板上连续沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，栅绝缘层薄膜材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或铝的氧化物等，用第二掩膜板(有源层掩模板)通过构图工艺在开口区域的栅电极上形成有源层图形。

步骤34、利用磁控溅射或热蒸发方法，在完成步骤33的透明基板上沉积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第三掩膜板(源漏极掩模板)通过构图工艺在非开口区域形成源电极、漏电极和数据线图形，在开口区域内的光反射区域内形成反射金属层图形，并在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形。

步骤35、利用化学汽相沉积方法，在完成步骤34的整个透明基板上沉积一层钝化层薄膜，钝化层薄膜的材料通常是氮化硅，用第四掩膜板(钝化层掩模板)通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔。

步骤36、利用磁控溅射或热蒸发方法，在完成步骤35的透明基板上沉积一层像素电极层薄膜，像素电极层薄膜的材料通常为氧化铟锡等，用第五掩膜板(像素电极掩模板)通过构图工艺在开口区域形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

制造本发明半透过式液晶显示第二实施例的阵列基板的制造方法的第二实施例，具体如下：

步骤41、形成本发明的透明基板；

步骤42、利用磁控溅射或热蒸发方法，在透明基板上制备一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第一掩膜板(栅极掩模板)通过构图工艺在基板的开口区域形成栅电极和栅线图形，并在开口区域内的光反射区域内形成反射金属层图形，该过程中还可以同时形成公共电极线图形。

步骤43、利用化学汽相沉积方法，在完成步骤42的整个透明基板上连续沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，栅绝缘层薄膜材料通常是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或铝的氧化物等，用第二掩膜板(有源层掩模板)通过构图工艺在开口区域的栅电极上形成有源层图形。

步骤44、利用磁控溅射或热蒸发方法，在完成步骤43的整个透明基板上沉积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，用第三掩膜板(源漏极掩模板)通过构图工艺在非开口区域形成源电极、漏电极和数据线图形，并在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形。

步骤45、利用化学汽相沉积方法，在完成步骤443的整个透明基板上沉积一层钝化层薄膜，钝化层薄膜的材料通常是氮化硅，用第四掩膜板(钝化层掩模板)通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔。

步骤46、利用磁控溅射或热蒸发方法，在完成步骤45的整个透明基板上沉积一层像素电极层薄膜，像素电极层薄膜的材料通常为氧化铟锡等，用第五掩膜板(像素电极掩模板)通过构图工艺在开口区域形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

值得一提的是，具体实施时，可以采用双调掩膜板来减少掩膜板的使用个数而降低成本。具体为：可以将上述步骤33和步骤43中的第二掩膜板和步骤34和步骤44中的第三掩膜板用一个双调掩膜板代替。还可以将步骤35和步骤45中的第四掩膜板和步骤36和步骤46中的第五掩膜板用一个双调掩膜板代替，并用剥离(lift off)工艺形成像素电极。

综上所述，本发明半透过式液晶显示器的阵列基板制造方法，通过重新设计源漏电极掩膜或栅电极掩膜板来形成了反射金属层，相比现有技术中需要用两块掩膜板形成树脂层及反射金属层相比，减少了掩膜板的使用数量，并且减少了工艺耗时，节省了成本。

本发明所述的构图工艺，包括微电子领域常用的光刻胶的涂覆、显影、曝光及灰化等工艺，还包括刻蚀工艺等等常用的工艺方法。

本发明半透过式液晶显示器第一实施例的彩膜基板的制造方法，可以在形成本发明的透明基板之后，继续形成彩色树脂，且还可以形成黑矩阵。形成彩色树脂和黑矩阵的方法与现有技术相同，故不再赘述。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。